| 发明名称 | 用于场区隔离刻蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤。本发明由于在氢氟酸刻蚀步骤之后，干法多晶硅刻蚀步骤之前增加了一酸碱液洗净步骤，从而去除了在氢氟酸刻蚀步骤之后常由于多晶硅材料的憎水性而残留的硅化物水迹，提高了后续干法多晶硅刻蚀的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101150060A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610116402.3 | 申请日期 | 2006.09.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王明琪;沈今楷 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其特征在于：在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||