发明名称 侧面发光型发光二极管及其制造方法
摘要 本发明公开了一种侧面发光型发光二极管及其制造方法。该方法包括:(a)提供包括阴极端和阳极端的引线架;(b)形成围绕引线架的反射器,从而阴极端和阳极端的部分从其两侧突出,并且该反射器包括向上开口的凹槽和围绕该凹槽的壁;(c)在该凹槽的内侧通过芯片粘接的方式将LED芯片连接到引线架;(d)通过导线将LED芯片焊接到阳极端或阴极端;(e)将液体可固化树脂分配到该凹槽中以形成透镜部;以及(f)通过锯床锯开彼此相对的壁,从而使上表面处的厚度为0.04到0.05mm。本发明提供一种侧面发光型发光二极管,其中反射器的壁的厚度为0.04到0.05mm,总厚度为0.05mm或更低。
申请公布号 CN101151739A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200680009858.8 申请日期 2006.10.30
申请人 ALTI电子株式会社 发明人 朴益圣;李振远;印致亿;金善鸿
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;陈红
主权项 1.一种制造侧面发光型发光二极管的方法,所述方法包括:(a)提供包括阴极端和阳极端的引线架;(b)形成围绕引线架的反射器,从而阴极端和阳极端的部分从两侧突出并且包括向上开口的凹槽和围绕该凹槽的壁;(c)在凹槽内侧的引线架上通过芯片粘接的方式连接有LED芯片;(d)通过导线将LED芯片焊接到阴极端或阳极端上;(e)向凹槽中分配液体可固化树脂以形成透镜部;(f)使用锯床锯开彼此面对的壁,从而上表面处的厚度为0.04到0.05mm。
地址 韩国京畿道