| 发明名称 | 绝缘膜的制造方法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。 | ||
| 申请公布号 | CN101151721A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010595.2 | 申请日期 | 2006.03.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西田辰夫;中西敏雄;石塚修一;中山友绘;藤野丰 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜的制造方法，其特征在于：包括在等离子体处理装置的处理室内，使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，所述氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，所述含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入所述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的所述含氧处理气体的等离子体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||