互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件的制造方法。该方法以两次微影蚀刻的制造工艺步骤，包括进行第一次微影蚀刻形成一具有至少两种不同厚度的第一光刻胶层，通过该第一光刻胶层定义出P型金属氧化物半导体(PMOS)元件与N型金属氧化物半导体(NMOS)元件的半导体层，再通过被灰化的该第一光刻胶层定义出PMOS元件的源/漏极；以及进行第二次微影蚀刻形成一第二光刻胶层，通过该第二光刻胶层定义出PMOS元件与NMOS元件的栅极，再通过被灰化的该第二光刻胶层定义出NMOS元件的轻掺杂漏极(LDD)。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，所述的方法包括下列步骤：(A)提供一基板，所述的基板具有一N型金属氧化物半导体NMOS区、与一P型金属氧化物半导体PMOS区，其中所述的NMOS区包含一第一掺杂区、一轻掺杂区与一第一栅极区，所述的PMOS区包含一第二掺杂区与一第二栅极区；(B)于所述的基板上全面性形成一半导体层；(C)于所述的NMOS区与所述的PMOS区上的所述的半导体层上形成一第一光刻胶层，其中于所述的NMOS区与所述的PMOS区的所述的第二栅极区上的所述的第一光刻胶层的厚度大于其余所述的第一光刻胶层的厚度；(D)去除未被所述的第一光刻胶层覆盖的所述的半导体层；(E)减少所述的第一光刻胶层的厚度，以暴露所述的PMOS区的所述的第二掺杂区上的所述的半导体层；(F)以剩余的所述的第一光刻胶层为罩幕，进行P型离子的重掺杂离子植入而形成一第一源极/漏极；(G)移除剩余的所述的第一光刻胶层；(H)依序于所述的基板与所述的半导体层上全面性形成一介电层与一金属层；(I)于所述的NMOS区的所述的第一栅极区与所述的轻掺杂区上与所述的PMOS区的所述的第二栅极区上形成一第二光刻胶层；(J)去除未被所述的第二光刻胶层覆盖的所述的金属层；(K)以所述的第二光刻胶层为罩幕，进行N型离子的重掺杂离子植入而形成一第二源极/漏极；(L)缩小所述的第二光刻胶层的宽度，使于所述的NMOS区的所述的轻掺杂区上的所述的金属层暴露出来；(M)去除未被所述的第二光刻胶层覆盖的所述的金属层；(N)以剩余的所述的第二光刻胶层为罩幕，进行N型离子的轻掺杂离子植入；以及(O)移除所述的第二光刻胶层，而形成一第一栅极与一第二栅极。