| 发明名称 | 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在砷化镓(GaAs)衬底上外延生长锑化镓(GaSb)的方法，该方法采用双缓冲层生长工艺，具体包括：A.在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B.在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑化铝(AlSb)缓冲层；C.在400至500℃条件下在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。利用本发明，将单缓冲层工艺改变为双缓冲层工艺，先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，然后在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层，最后在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层，使其促进外延层二维生长的特性，从而有效提高了GaSb外延层的晶体质量和表面平整度。 | ||
| 申请公布号 | CN101148776A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610152201.9 | 申请日期 | 2006.09.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郝瑞亭;周志强;任正伟;徐应强;牛智川 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B29/42(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种在砷化镓GaAs衬底上外延生长锑化镓GaSb的方法，其特征在于，该方法采用双缓冲层生长工艺，该方法具体包括：A、在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B、在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑化铝AlSb缓冲层；C、在400至500℃条件下在生长的AlSb缓冲层上生长GaSb外延层。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||