| 发明名称 | 一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法，包括步骤：A1.按照一定比例配制氧化镁冰乙酸溶液；A2.将硅微通道板放置于所述氧化镁冰乙酸溶液内，用超声波加振所述氧化镁冰乙酸溶液一段时间，使溶液充分进入微通道并吸附于内表面；A3.在真空装置中加热硅微通道板，固化其表面的氧化镁。本发明设备成本低，工艺过程简单，技术难度小，整个制备时间相对较短，所沉积的材料二次电子发射系数高，是制作硅微通道板二次电子发射层方法的一大进步。 | ||
| 申请公布号 | CN101150030A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710075696.4 | 申请日期 | 2007.08.13 |
| 申请人 | 深圳大学 | 发明人 | 牛丽红 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01);H01J9/00(2006.01) | 主分类号 | H01J9/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京必浩得专利代理事务所 | 代理人 | 关松寿 |
| 主权项 | 1.一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法，其特征在于，包括步骤：A1、按照一定比例配制氧化镁冰乙酸溶液；A2、将硅微通道板放置于所述氧化镁冰乙酸溶液内，用超声波加振所述氧化镁冰乙酸溶液一段时间，使溶液充分进入微通道并吸附于内表面；A3、在真空装置中加热硅微通道板，固化其表面的氧化镁。 | ||
| 地址 | 518060广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||