| 发明名称 | 固态成象器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有这种杂质浓度分布的CCD固态成象器件的制造方法，其中该分布使减少阴影和形成被赋予大的饱和信号电荷量的埋沟成为可能。该制造方法包括：在半导体衬底(11)上形成氧化物层(12)的氧化物层形成步骤；通过氧化物层(12)对半导体衬底(11)进行离子注入从而在对应于电荷转移部分的位置上形成阱的离子注入步骤；和对经过离子注入步骤的氧化物层(12)，至少在对应于阱的位置中进行绝缘层形成处理的绝缘层形成步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101151731A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010290.1 | 申请日期 | 2006.03.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 塚本朗 |
| 分类号 | H01L27/148(2006.01);H01L21/339(2006.01) | 主分类号 | H01L27/148(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.一种固态成象器件的制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底上形成氧化物层的氧化物层形成步骤；通过氧化物层对半导体衬底进行离子注入从而在对应于电荷转移部分的位置处形成阱的离子注入步骤；和对于经过离子注入步骤的氧化物层，至少在对应于该阱的位置处进行绝缘层形成处理的绝缘层形成步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||