发明名称 |
半导体存储器件 |
摘要 |
除了升压电源电路升压电源电压以向存储核心提供升压电压VPP之外,提供构成静态电容器的单元电容器和向单元电容器的连接点提供中点电势的偏压电路,还有降低升压电压到设定值的箝位电路,其中当升压电源电路停止升压操作时,箝位电路将升压电压箝位到设定值,因此其后在到常规运行的转换中可阻止中点电势在很大程度上偏离到升压电压一侧和地电势一侧。 |
申请公布号 |
CN101149966A |
申请公布日期 |
2008.03.26 |
申请号 |
CN200710153006.2 |
申请日期 |
2007.09.18 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
酒向淳匡 |
分类号 |
G11C11/4074(2006.01);G11C5/14(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/4074(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
宋鹤 |
主权项 |
1.一种半导体存储器件,包括:存储核心部分,包括多个存储单元;升压电源电路,升压第一电源电压以向存储核心部分提供第二电源电压;第一和第二电容器,在从升压电源电路供应的第二电源电压的电源线和地之间串联连接;偏压生成电路,向第一和第二电容器的连接点施加中点电势;以及箝位电路,当升压电源电路停止升压操作时,将第二电源电压降低到设定值。 |
地址 |
日本神奈川县 |