| 发明名称 | 硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种硅基高效等电子掺杂发光器件，其中包括：一n－型或p－型硅基衬底；一硅基掺杂层，该硅基掺杂层制作在n－型或p－型硅基衬底上面，该硅基掺杂层是发光器件的有源区；一p－型或n－型重掺硅层，该p－型或n－型重掺硅层制作在硅基掺杂层上面；一n－型或p－型重掺硅层，该n－型或p－型重掺硅层制作在n－型或p－型硅衬底下面；一第一金属电极，该第一金属电极制作在p－型或n－型重掺硅层上面；二第二金属电极，该二第二金属电极分别制作在n－型或p－型重掺硅层下面的两侧，其中间为出光口。 | ||
| 申请公布号 | CN101150154A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610126998.5 | 申请日期 | 2006.09.18 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张建国;王晓欣;成步文;余金中;王启明 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种硅基高效等电子掺杂发光器件，其特征在于，其中包括：一n-型或p-型硅基衬底；一硅基掺杂层，该硅基掺杂层制作在n-型或p-型硅基衬底上面，该硅基掺杂层是发光器件的有源区；一p-型或n-型重掺硅层，该p-型或n-型重掺硅层制作在硅基掺杂层上面；一n-型或p-型重掺硅层，该n-型或p-型重掺硅层制作在n-型或p-型硅衬底下面；一第一金属电极，该第一金属电极制作在p-型或n-型重掺硅层上面；二第二金属电极，该二第二金属电极分别制作在n-型或p-型重掺硅层下面的两侧，其中间为出光口。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||