等离子体处理设备

摘要

等离子体处理设备包括：作为下电极(3)的台(31)；作为下电极的对电极的上电极(4)；以及其中放置了下电极和上电极的处理腔室(2)。所述设备向位于下电极和上电极之间的等离子体发生空间(A)提供气体，以产生等离子体，使得处理对象(W)受到等离子处理。在所述设备中，上电极由以下部分构成：本体部分(41)，具有供气端口(T)；透气多孔盘(43)，位于本体部分(41)的下侧上，以便封闭供气端口(T)；以及支架构件(41)，用于支撑多孔盘的外部边缘部分。用于吸收由于在等离子体处理中的热膨胀导致的应力的狭缝(S)以一定间距形成于多孔盘的外部边缘部分中。

主权项

1.一种等离子体处理设备，包括：第一电极单元，具有放置表面，所述放置表面上能够放置处理对象；第二电极单元，面对第一电极单元的放置表面；以及处理容器，限定了第一和第二电极单元被置于其中的处理腔室，其中将等离子体发生气体提供到第一和第二电极单元之间的等离子体处理空间以便产生等离子体，然后对处理对象执行等离子体处理，所述第二电极单元包括：本体部分，具有与供气通路相通的供气端口；多孔盘，放置所述多孔盘以便覆盖供气端口并且面对等离子体处理空间，所述多孔盘具有透气性，使得将从供气端口提供的气体通过所述多孔盘内部提供给等离子体处理空间；以及支架构件，在所述多孔盘的外边缘部分上支撑所述多孔盘，使得将多孔盘固定地放置到本体部分；其中在多孔盘的外边缘部分中按照特定的间隔间距形成多个剪切部分，以便沿所述多孔盘的厚度方向延伸通过所述盘。