发明名称 一种三维电铸微结构的制作方法
摘要 一种三维电铸微结构的制作方法属于微制造技术领域,涉及金属基底微电铸金属器件类,该制作方法包括基底前处理、连接层微电铸型模的制作、微电铸、铜晶种层的制备、镍结构层的制作、微电铸后处理、牺牲层去除工序。在金属基底上,通过2次SU-8光刻胶的紫外光刻、铜晶种层的制备和2次镍的微电铸来实现三微悬臂微结构的制作;连接层微电铸型模的制作工序中,选择SU-8光刻胶作为牺牲层材料;在微电铸工序中,镍基板电铸前要进行表面活化处理;在铜晶种层的制备工序中,铜的腐蚀液采用的是2.5%的HNO<SUB>3</SUB>溶液,采用紫外曝光的方法去除铜表面的正性光刻胶。该方法制作的悬臂微结构结合牢固、层内应力小的特点、可用做微传感器/微驱动器的核心器件。
申请公布号 CN101148243A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200710012854.1 申请日期 2007.09.14
申请人 大连理工大学 发明人 杜立群;刘冲;刘军山;朱神渺;刘文涛;喻立川
分类号 B81C1/00(2006.01);B81C5/00(2006.01) 主分类号 B81C1/00(2006.01)
代理机构 大连理工大学专利中心 代理人 关慧贞
主权项 1.一种三维电铸微结构的制作方法,包括基底前处理、连接层微电铸型模的制作、微电铸、铜晶种层的制备、镍结构层的制作、微电铸后处理、牺牲层去除工序,其特征是:采用牺牲层技术,在金属基底上,通过2次SU-8光刻胶的紫外光刻、铜晶种层的制备和2次镍的微电铸来实现三微悬臂微结构的制作;连接层微电铸型模的制作工序中,选择SU-8光刻胶作为牺牲层材料;在微电铸工序中,镍基板电铸前要进行表面活化处理,活化腐蚀液的配方是10~20%硝酸、80~90%丙乙酸(体积比);在铜晶种层的制备工序中,铜的腐蚀液采用的是2.5%的HNO3溶液,同时为去除铜表面的正性光刻胶,采用紫外曝光的方法;在牺牲层去除工序中,采用浓硫酸煮沸的方法,其制作方法的具体步骤如下:(1)基底前处理:基底前处理分为机械加工前处理和表面清洗两个部分,机械加工前处理依次包括:铣削、磨削、精磨、线切割和抛光,表面清洗采用有机溶剂除油法,有机溶剂采用丙酮和乙醇;(2)连接层微电铸型模的制作:连接层微电铸型模也称悬臂微结构的牺牲层,牺牲层材料采用SU-8光刻胶,在连接层微电铸型模的制作工序中,采用国产光刻胶作为SU-8光刻胶的黏附层,SU-8光刻胶与黏附层采用光刻技术中的套刻工艺,显影后获得的微结构图形,直接作为微电铸的型模;(3)微电铸:镍的微电铸就是在微电铸型模的自由空间里实现镍的电沉积,在微电铸工序中,镍基板电铸前要进行表面活化处理,活化腐蚀液的配方是10~20%硝酸、80~90%丙乙酸(体积比),腐蚀时间是10~20秒,电铸液采用无应力铸镍配方;(4)制备铜晶种层:铜晶种层的制备工序包括铜的溅射和铜的光刻,铜的溅射设备是射频溅射台;铜的光刻步骤是:用匀胶机均匀涂国产正性光刻胶,转速3500转/分,在60℃热板上烘45分钟,利用曝光机进行第1次紫外曝光,曝光时间30秒,放入0.5%的NaOH显影液中显影,在60℃热板上后烘1小时;放入2.5%的HNO3溶液中腐蚀铜约2分钟;用匀胶机将铜表面的水甩干,对整个基片表面进行第2次紫外曝光,曝光时间2分钟,然后将基片放入0.5%的NaOH中去除铜表面的光刻胶,用水冲洗干净;(5)镍结构层的制作:镍结构层的制作包括微电铸型模的制作和镍微电铸,在微电铸型模的制作工序中,采用SU-8光刻胶的紫外光刻技术;镍微电铸就是在微电铸型模的自由空间里实现镍的电沉积;(6)微电铸后处理:微电铸后处理包括真空退火和微器件的精磨、抛光,以去除内应力为目的的真空退火就是将带有SU-8光刻胶的微结构放入真空退火炉中,达到指定真空度后升温到350~400℃,保持100~120分钟后自然冷却,退火后的微结构还要经过精磨和抛光处理;(7)牺牲层去除:牺牲层的去除采用浓硫酸煮沸的方法,把待去胶的微结构放入浓度为95%~98%的浓硫酸中,将浓硫酸放在电炉上煮沸,时间为5~10分钟,待微结构上的SU-8光刻胶全部溶解后,用去离子水冲洗干净。
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