| 发明名称 | 合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法 | ||
| 摘要 | 一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；(2)将母合金剪切成小块，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上后，使其自然降至室温，取出样品。本发明只需简单的设备，在较低的温度下，从Zr-Ti合金直接制备相应的ZrTiO<SUB>4</SUB>单相粉末；与现有多元氧化物单相制备方法相比，制备工艺简单，无污染，而且节省时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100376702C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200510086409.0 | 申请日期 | 2005.09.13 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 张涛;章安玉;纪云飞;马朝利 |
| 分类号 | C22C1/04(2006.01);C22C14/00(2006.01);C22C16/00(2006.01);C22F1/18(2006.01) | 主分类号 | C22C1/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘秀娟;成金玉 |
| 主权项 | 1.一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；(2)将母合金剪切成0.3～0.7克的小块，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上，使其自然降至室温，取出样品。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路37号 | ||