发明名称 半导体存储器件
摘要 本发明公开了一种包括多个含有连接在多个字线和多个位线对之间的多个存储单元的存储单元阵列块的半导体存储器件,该器件包括:每一个存储器单元阵列块,包括具有响应多个写控制信号而传送数据的多个第一传输晶体管和响应多个读控制信号而传送数据的多个第二传输晶体管的列选择电路;以及预充电和写控制电路,用于在预充电操作期间响应预充电使能信号对读出位线对进行预充电和均衡、在读操作期间响应写使能信号和多个列选择信号而产生多个读控制信号、并且在写操作期间响应块选择信号、写使能信号、预充电使能信号和多个列选择信号产生多个写控制信号。因此,由于在写操作期间不操作读出位线对,所以降低了功率消耗。
申请公布号 CN100377257C 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200410035292.9 申请日期 2004.02.24
申请人 三星电子株式会社 发明人 朴仁圭
分类号 G11C11/4063(2006.01) 主分类号 G11C11/4063(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 吕晓章;马莹
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:多个存储单元阵列块,所述多个存储单元阵列块中的每一个含有连接在多个字线和多个位线对之间的多个存储单元;和控制信号产生电路,响应于命令信号而产生预充电使能信号、读出放大器使能信号和写使能信号,所述多个存储器单元阵列块的每一个包括:具有多个第一传输晶体管和多个第二传输晶体管的列选择电路,所述多个第一传输晶体管用于响应多个写控制信号在多个位线对中所选择的位线对和写入位线对之间传送数据,所述多个第二传输晶体管用于响应多个读控制信号在所选择的位线对和读出位线对之间传送数据;读出放大器,响应于读出放大器使能信号而放大读出位线对的数据,以在读操作中传送读数据线对;以及预充电和写控制电路,用于在预充电操作期间响应预充电使能信号对读出位线对进行预充电和均衡,在读操作期间响应写使能信号和多个列选择信号产生多个读控制信号,并且在写操作期间响应块选择信号、写使能信号、预充电使能信号和多个列选择信号产生多个写控制信号,其中在预充电操作期间所有的多个第一和第二传输晶体管都截止,并且其中在写操作期间多个第一和第二传输晶体管中所选择的第一传输晶体管导通,以在选择位线对和写位线对之间传送数据。
地址 韩国京畿道