一种氮化镓基场效应管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有AlN或Al₂O₃薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al₂O₃薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。

主权项

1.一种氮化镓基场效应管，其特征在于，该氮化镓基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层铝镓氮AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有氮化铝AlN或氧化铝Al2O3 薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。