| 发明名称 | 低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种高质量的SiC单晶片。该晶片具有至少约3英寸的直径、小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV。 | ||
| 申请公布号 | CN101151402A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010885.7 | 申请日期 | 2006.04.07 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | 艾德里安·鲍威尔;威廉·H.·布里克休斯;罗伯特·T.·里奥纳多;戴维斯·M.·麦克卢尔;迈克尔·P.·劳纳 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01);B24B37/04(2006.01) | 主分类号 | C30B29/36(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种高质量的SiC单晶片，该单晶片具有至少约75毫米(3英寸)的直径、小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||