| 发明名称 | 使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻 | ||
| 摘要 | 提供一种蚀刻衬底上的介电层的方法。在介电层上形成光致抗蚀剂掩模。将衬底放入等离子体处理室中。向等离子体室提供含NF<SUB>3</SUB>的蚀刻气体。由NF<SUB>3</SUB>气体形成等离子体。通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF<SUB>3</SUB>气体形成的等离子体蚀刻介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101151719A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010250.7 | 申请日期 | 2006.03.07 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | J·金;S·李;B·A·沃尔沙姆;R·查拉坦;S·M·R·萨亚迪 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括：在介电层上形成光致抗蚀剂掩模；将衬底放入等离子体处理室中；向等离子体室内提供含有NF3的蚀刻气体；由NF3气体形成等离子体；以及通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF3气体形成的等离子体蚀刻介电层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||