| 发明名称 | 信息存储元件及其制造方法以及存储阵列 | ||
| 摘要 | 提供一种能够通过浮置栅极层的机械动作进行信息读写的信息存储元件，其中，栅绝缘膜具有空腔(6)；在空腔内(6)具有浮置栅极层(5)，该浮置栅极层(5)具有向晶体管的沟道侧挠曲的稳定状态和向栅极(7)侧挠曲的稳定状态的两种稳定挠曲状态；通过在浮置栅极层(5)中预先存储的电子(或空穴8)与外部电场的库仑力，改变浮置栅极层(5)的稳定挠曲状态，利用沟道电流来读取已改变的浮置栅极层(5)的状态，由此进行信息的写入、读取。 | ||
| 申请公布号 | CN100377356C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200380104520.7 | 申请日期 | 2003.11.28 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 山口伸也;安藤正彦;岛田寿一;横山夏树;小田俊理;越田信义 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑峰 |
| 主权项 | 1.一种信息存储元件，其特征在于，在具有半导体衬底、源极、漏极、栅极和栅绝缘膜的半导体晶体管中，上述栅绝缘膜具有空腔；在此空腔内具有浮置栅极层，该浮置栅极层具有向上述晶体管的沟道侧挠曲的稳定状态和向栅极侧挠曲的稳定状态这两种稳定挠曲状态，利用此浮置栅极层的两种稳定挠曲状态来存储信息。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||