立体式封装结构及其制造方法

摘要

一种立体式封装结构及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)提供一个半导性本体；(b)在该半导性本体上形成至少一个盲孔；(c)在该盲孔的侧壁上形成一绝缘层；(d)在该绝缘层上形成一导电层；(e)在该导电层上形成一干膜；(f)在所述盲孔内填入金属；(g)移除该干膜，且图案化该导电层；(h)移除该盲孔内所述金属的一部分，以形成一空间；(i)移除该半导性本体第二表面的一部分以及绝缘层的一部分，以暴露出导电层的一部分；(j)在导电层下端形成一焊料，其中焊料的熔点低于金属；(k)堆叠复数个所述半导性本体，并且进行回焊；以及(l)切割所述堆叠后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。由此，导电层的下端及其上的焊料“插入”下方的半导性本体空间中，因而使得导电层与焊料的接合更为稳固，并且接合后立体式封装结构的整体高度可以有效地降低。

主权项

1.一种立体式封装结构的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)提供一半导性本体(semiconductor body)，该半导性本体具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一焊垫及一保护层(protection layer)，该保护层暴露出该焊垫；(b)在该半导性本体的第一表面上形成至少一盲孔；(c)在该盲孔的侧壁上形成一绝缘层(isolation layer)；(d)形成一导电层(conductive layer)，该导电层覆盖该焊垫、该保护层及该绝缘层；(e)在该导电层上形成一干膜(dry film)，该干膜在该盲孔的相对位置开设有开口；(f)在该盲孔内填入一金属；(g)移除该干膜，且图案化该导电层；(h)移除该盲孔内的该金属的一部分，以形成一空间；(i)移除该半导性本体第二表面的一部分及该绝缘层的一部分，以暴露出该导电层的一部分；(j)在该导电层下端形成一焊料，其中该焊料的熔点低于该金属；(k)堆叠复数个该半导性本体，且进行回焊(reflow)；及(l)切割该堆叠后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。