| 发明名称 | 相变化存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上；第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口；柱状第二介电层直接形成在该第一电极之上；第一导电层形成在该柱状第二介电层的侧壁上，并与该第一电极电连接；第三介电层完全覆盖该第一电极及包覆该第一导电层的侧壁，并露出该第一导电层的上表面；相变层形成在该第三介电层之上并与该第一导电层之的表面直接接触；第四介电层形成在该第三介电层和该相变层之上，其中该第四介电层具有第二开口露出该相变层的上表面；第二导电层形成在该第二开口内并填满该第二开口，并与该相变层电连接；并且第二电极与该第二导电层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101150172A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610154300.0 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 许宏辉 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种相变化存储器，包括：基底；具有第一开口的第一介电层形成在该基底之上；第一电极形成在该第一开口内并填满该第一开口；第二介电层形成在该第一电极之上；第一导电层形成在该第二介电层的侧壁上，并与该第一电极电连接；第三介电层完全覆盖该第一电极及包覆该第一导电层的侧壁，并露出该第一导电层的上表面；相变层形成在该第三介电层之上并与该第一导电层的上表面接触；第四介电层形成在该第三介电层和该相变层之上，其中该第四介电层具有第二开口露出该相变层的上表面；第二导电层形成在该第二开口内并填满该第二开口，并与该相变层电连接；和第二电极与该第二导电层电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||