| 发明名称 | 光半导体器件和光半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在光半导体器件(1A)中，包括：具有凹部(2a)的基体(2)；设置在凹部(2a)内、发射光的发光元件(3)；设置在基体(2)内并覆盖凹部2a的侧面、抑制由发光元件3发射的光向凹部2a的侧面入射的抑制构件4；设置在凹部2a内、密封发光元件3的透光性构件5。本发明提供能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101150164A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710152881.9 | 申请日期 | 2007.09.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 富冈泰造 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种光半导体器件，其特征在于，包括：具有凹部的基体；设置在所述凹部内、发射光的发光元件；设置在所述基体上并覆盖所述凹部的侧面、抑制由所述发光元件发射的所述光向所述凹部的侧面入射的抑制构件；和设置在所述凹部内、密封所述发光元件的透光性构件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||