发明名称 像素结构及其制造方法
摘要 本发明涉及一种边缘场切换液晶显示器的像素结构及其制造方法,提供了包含控制区域及显示区域的像素结构的制造方法,该方法包含:在基板上形成包含数据线及栅极的图案化第一导电层;在该基板上形成覆盖该图案化第一导电层的第一绝缘层;在该栅极上的第一绝缘层上形成图案化半导体层;形成包含源极、漏极及栅极线的图案化第二导电层;形成电性连接该漏极并覆盖该显示区域的像素电极;形成第二绝缘层;图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层;以及形成包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极的图案化第三导电层。本发明制造方法仅需六道光刻与蚀刻工艺,节省了制造成本与制造时间,并且像素结构仅包含二层绝缘层,进一步提升像素结构的透光性。
申请公布号 CN101150091A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200710166952.0 申请日期 2007.11.08
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林祥麟;林敬桓
分类号 H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1362(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈晨
主权项 1.一种像素结构的制造方法,该像素结构包含控制区域及显示区域,该方法包含以下步骤:在基板上形成图案化第一导电层,该图案化第一导电层包含数据线及栅极;在该基板上形成第一绝缘层,以覆盖该图案化第一导电层;在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层;形成图案化第二导电层,该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线,其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域,而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在该控制区域构成薄膜晶体管结构;形成像素电极,其电性连接该漏极,并覆盖该显示区域;形成第二绝缘层;图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层,以暴露部分该数据线、该源极、该栅极线及该栅极;以及形成图案化第三导电层,其包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极,其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极,该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极,而该共通电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上。
地址 中国台湾新竹市