| 发明名称 | 集成电路制造 | ||
| 摘要 | 一种用于在集成电路(100)中界定图案的方法包括在衬底(108)的第一区域(102)上使用光刻法在第一光致抗蚀剂层中界定多个形体。所述方法进一步包括使用间距倍增在下部遮蔽层(116)中针对所述光致抗蚀剂层中的每一形体产生至少两个形体(120)。所述下部掩蔽层(116)中的所述形体包含环状末端(124)。所述方法进一步包括用第二光致抗蚀剂层(126)覆盖所述衬底(108)的包含所述下部掩蔽层(116)中所述环状末端(124)的第二区域(104)。所述方法进一步包括在在所述衬底(108)中穿过所述下部掩蔽层中的所述形体蚀刻沟槽图案而不蚀刻到所述第二区域(104)中。所述沟槽具有沟槽宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN101151720A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010516.8 | 申请日期 | 2006.02.27 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 卢安·C·特兰;约翰·李;刘增涛;埃里克·弗里曼;拉塞尔·尼尔森 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/033(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种用于在集成电路中界定图案的方法，所述方法包括：在衬底的第一区域上使用光刻法在第一光致抗蚀剂层中界定多个形体；使用间距倍增在下部遮蔽层中针对所述光致抗蚀剂层中的每一形体产生至少两个形体，所述下部掩蔽层中的所述形体包含环状末端；用第二光致抗蚀剂层覆盖所述衬底的包含所述下部掩蔽层中的所述环状末端的第二区域；以及在所述衬底中穿过所述下部掩蔽层中的所述形体蚀刻沟槽图案而不蚀刻到所述第二区域中，所述沟槽具有沟槽宽度。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||