| 发明名称 | 字线增强电路及其操作方法和具有该电路的存储器阵列 | ||
| 摘要 | 本发明涉及字线增强电路，特别是SRAM字线增强电路，包括：驱动元件(20)，用于改变电荷存储元件(50)的电压电平，所述电荷存储元件(50)用于存储生成增强电压(Vb)所需的电荷；反馈元件(30)，用于控制充电元件(40)的切换状态，其中所述充电元件(40)可在第一时间间隔期间的断开状态与第二时间间隔期间的接通状态之间主动地切换；以及输出端口(14)，用于向存储器器件(200)的至少一个字线驱动器电路(100)提供所述增强电压。本发明还涉及用于此类字线增强电路的操作方法以及在集成电路上的存储器阵列实现，特别是具有字线增强电路的SRAM存储器阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN101149965A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710153334.2 | 申请日期 | 2007.09.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·埃仑赖希;O·托雷特尔;J·皮勒 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01) | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种字线增强电路，特别是SRAM字线增强电路，包括：驱动元件(20)，用于改变电荷存储元件(50)的电压电平，所述电荷存储元件(50)用于存储生成增强电压(Vb)所需的电荷的至少一部分；反馈元件(30)，用于控制充电元件(40)的切换状态，其中所述充电元件(40)可在第一时间间隔期间的断开状态与第二时间间隔期间的接通状态之间主动地切换；以及输出端口(14)，用于向存储器器件(200)的至少一个字线驱动器电路(100)提供所述增强电压(Vb)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||