| 发明名称 | DC－DC转换器用半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 一种DC-DC转换器用半导体集成电路。在由CMOS转换开关构成的驱动电路进行转换时，即使nMOS型晶体管的漏极电位降低到接地电位以下，也不会由于寄生电流的影响而进行误动作，使其以微小的电流进行稳定的动作，并使得易于降低消耗功率，提高效率，而且，能够消除构成元件的布图设计的制约。构成驱动电路(1)的CMOS转换开关(Ic)的nMOS晶体管(Qn)通过n型沟道区域(11)而对衬底(12)处于电悬浮状态，因而通过n型沟道区域(11)而对于构成反馈控制系统(9)的npn型晶体管(Q1)、L-pnp型晶体管(Q2)等其它晶体管处于电绝缘状态。 | ||
| 申请公布号 | CN100377484C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200510004209.6 | 申请日期 | 2005.01.14 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 小森百合;三井和雄 |
| 分类号 | H02M3/137(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H02M3/137(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种DC-DC转换器用半导体集成电路，其构成为，DC输入电压由CMOS转换开关进行转换，并输出到电感性负载，与输出电压对应的控制电压由反馈控制系统作成，并反馈到所述CMOS转换开关，这样反复进行所述转换，获得最终希望的DC输出电压，构成所述CMOS转换开关的晶体管和构成所述反馈控制系统的其它晶体管在同一半导体衬底上集成而形成，其特征在于，在所述半导体衬底上形成构成所述CMOS转换开关的一方的nMOS型晶体管，使所述nMOS型晶体管与构成所述反馈控制系统的所述其它晶体管形成了电绝缘关系的半导体区域介于所述nMOS型晶体管和所述半导体衬底之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||