| 发明名称 | 提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，由对硬掩模层进行刻蚀、去胶、对多晶硅进行主刻蚀、对栅极进行过刻蚀、微沟槽形成阶段等五个步骤构成。本发明在线条底部形成微沟槽，一定程度上降低了沟道宽度，控制了线条形貌，从而提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100377313C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200410062489.1 | 申请日期 | 2004.07.12 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 唐果 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张爱群 |
| 主权项 | 1.一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于，依次采用步骤A、B、C、D和E构成：A.对硬掩模层进行刻蚀；B.通入O2等离子体去胶或是在独立的去胶腔室内去胶；C.对多晶硅进行主刻蚀；D.对栅极进行过刻蚀；E.形成微沟槽；所述的步骤A中，刻蚀气体为40-60vt％的NF3或SF6、20-50vt％的Cl2和10-20vt％的Ar。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||