| 发明名称 | 非极性单晶A-面氮化物半导体晶圆及其制备 | ||
| 摘要 | 在950到1100℃的温度范围内并且以30到300μm/hr的速度在单晶r-面蓝宝石衬底上氢化物气相外延(HVPE)生长a-面氮化物半导体膜，可以快速且有效地制备无空隙、翘曲或裂纹的单晶a-面氮化物半导体晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN100377306C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200510071276.X | 申请日期 | 2005.05.08 |
| 申请人 | 三星康宁株式会社 | 发明人 | 申铉敏;李惠龙;李昌浩;金贤锡;金政敦;孔善焕 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/86(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/38(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种单晶a-面({11-20}面)氮化物半导体晶圆，具有130μm或更大的厚度，并且该a-面氮化物半导体晶圆在X射线衍射振动曲线中具有1000弧度秒或更小的半最高幅度的全宽度值。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||