图像传感器件及制造方法

摘要

一种本发明的CMOS图像传感器，具有在1.2-4.5V的偏压下完全耗尽的低压光电二极管。该光电二极管包括：P-epi层；将P-epi层分成场区和有源区的场氧化层；形成在P-epi层的N^-区，其中第一杂质区与隔离层分隔开；以及形成在P-epi层下面和N^-区上面的导电类型的P⁰区，其中P⁰区的宽度宽于N^-区的宽度，从而使P⁰区的一部分形成在P-epi层上，由此使P⁰区具有与P-epi层相同的电位。

主权项

1.一种CMOS图像传感器件，包括：第一导电类型的半导体层；第一导电类型的阱区，局部定位在半导体层；形成在半导体层中的光电二极管，用于检测来自物体的光；形成在半导体层中的至少一个耗尽型晶体管，用于将光电二极管中产生的光电电荷转移到浮动结，该浮动结形成在半导体层的一部分上，并存储光电电荷；以及形成在阱区中的至少一个增强型晶体管，用于输出电信号，该电信号与从浮动结转移的光电电荷的量相对应。