| 发明名称 | 于低介电系数介电层上形成孔洞的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种利用多晶硅罩幕，而非知技术所使用的金属硬罩幕，在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。一多晶硅硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上，以及一光阻层被形成于此多晶硅硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶硅硬罩幕以制造低介电系数介电层的暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除，以免破坏低介电系数介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101150065A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200710106933.9 | 申请日期 | 2007.05.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种于低介电系数介电层上形成孔洞的方法，其特征在于包含：形成一多晶硅硬罩幕于该低介电系数介电层之上；形成一光阻层于该多晶硅硬罩幕之上；图刻该光阻层；蚀刻该多晶硅硬罩幕层以产生该低介电系数介电层的多数个暴露部分，其中是利用一气体电浆蚀刻该多晶硅硬罩幕层；移除该光阻层；以及蚀刻该低介电系数介电层的该些暴露部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||