用于抛光半导体晶片的方法及用该方法制造的半导体晶片

摘要

本发明涉及用于在上抛光盘与下抛光盘之间抛光半导体晶片的方法，其中，该半导体晶片在一个转盘的空腔中在输入抛光剂的情况下被双面抛光。该方法包括：在第一抛光步骤中双面抛光该半导体晶片，该双面抛光以一个负的过量结束，其中，该过量是该第一抛光步骤之后该半导体晶片的厚度与该转盘的厚度之间的差值；在第二抛光步骤中双面抛光该半导体晶片，在该第二抛光步骤中从该半导体晶片的侧面抛去小于1μm的材料。本发明也涉及半导体晶片，该半导体晶片用硅制成，具有一个被抛光的正面及一个被抛光的背面，具有通过小于100nm的SBIRmax值来表达的正面全局平整度，并且在一个边缘区域中具有通过35nm或更小的PSFQR值来表达的正面局部平整度，其中，总是考虑2mm的边缘排除量。

主权项

1.用于在上抛光盘与下抛光盘之间抛光半导体晶片的方法，其中，该半导体晶片在一个转盘的空腔中在输入抛光剂的情况下被双面抛光，该方法包括：在第一抛光步骤中双面抛光该半导体晶片，该双面抛光以一个负的过量结束，其中，该过量是该第一抛光步骤之后该半导体晶片的厚度与该转盘的厚度之间的差值；在第二抛光步骤中双面抛光该半导体晶片，在该第二抛光步骤中从该半导体晶片的侧面抛去小于1μm的材料。