| 发明名称 | 信息存储介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在本发明中，提供一种即使不设界面层，也可以确保高可靠性和良好的反复擦写性能的信息存储介质及其制造方法。为此，在通过光照射或施加电能进行存储及/或再生的信息存储介质中，信息存储介质具有添加了从Sn及Ga构成的群GM中选出的至少一种元素和从Ta及Y构成的群GL中选出的至少一种元素以及氧的材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN101151668A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200680010797.7 | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 土居由佳子;儿岛理惠;山田升 |
| 分类号 | G11B7/254(2006.01);G11B7/257(2006.01);G11B7/24(2006.01);G11B7/26(2006.01);G11B7/243(2006.01) | 主分类号 | G11B7/254(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种信息存储介质，其通过光照射或施加电能进行存储及/或再生，其中，具有材料层，该材料层包括从Sn及Ga构成的群GM中选出的至少一种元素、和从Ta及Y构成的群GL中选出的至少一种元素、以及氧。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||