发明名称 一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法
摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件,其中包括:下基板;黑矩阵,形成在下基板之上;彩色滤光层,形成在黑矩阵的开口处,对应于像素区域;过敷保护膜,形成在彩色滤光层和黑矩阵之上;栅线及栅电极,形成在过敷保护膜之上;薄膜晶体管,形成在栅电极上;数据线、源电极和漏电极,形成在薄膜晶体管之上;钝化保护膜,形成漏电极的部分区域和像素区域以外的其它部分之上;像素电极,形成在像素区域的过敷保护膜之上,与漏电极的部分区域形成接触;上基板;公共电极,形成在上基板上;液晶分子层,形成在上基板和下基板之间。本发明同时公开了该显示器件的制造方法。本发明提高了显示器件光透过率和开口率,简化了工艺方法。
申请公布号 CN101149546A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200610139759.3 申请日期 2006.09.22
申请人 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 发明人 龙春平
分类号 G02F1/1362(2006.01);G02F1/1335(2006.01);G02F1/1333(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 G02F1/1362(2006.01)
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 刘芳
主权项 1.一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件,其特征在于,包括:一下基板;一黑矩阵,形成在所述下基板之上,其开口部分对应为像素区域;一彩色滤光层,形成在所述黑矩阵的开口处,对应于所述像素区域;一过敷保护膜,形成在所述彩色滤光层和黑矩阵之上;一栅线及与其连接的栅电极,形成在所述过敷保护膜之上;一栅电极绝缘层,形成在所述栅线和栅电极之上;一本征半导体层和掺杂半导体层,形成在所述栅电极绝缘层之上;一薄膜晶体管沟道,形成在本征半导体层上,其上没有掺杂半导体层;一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极,形成在所述掺杂半导体层之上;一钝化保护膜,形成在所述数据线、源电极、漏电极的部分区域、薄膜晶体管沟道、栅电极绝缘层和像素区域以外的其它部分之上;一像素电极,形成在所述像素区域的过敷保护膜之上,与所述漏电极的部分区域形成接触;一上基板;一公共电极,形成在所述上基板上;一液晶分子层,形成在所述上基板和下基板之间。
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