发明名称 一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法
摘要 一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法,其包括以下步骤:以硼卤烷、卤硅烷、烷基胺化合物为起始原料,按硼卤烷∶卤硅烷的摩尔比为1∶10-10∶1,烷基胺过量的配比混合、反应,反应完成后将产物过滤,滤液即为低分子硼硅氮烷,然后将低分子硼硅氮烷在加热的条件下高分子化,降温后即得到聚硼硅氮烷先驱体。本发明选用的原料成本低廉,来源可靠,反应过程简单,并且有较高的合成产率;可以实现各元素的原子级水平的均匀分布,避免了后续陶瓷材料制备和使用过程中的不良影响;可以有效地调控先驱体的加工性能和物理性能。
申请公布号 CN101148358A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200710035733.9 申请日期 2007.09.13
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 王军;唐云;李效东;王浩
分类号 C04B35/515(2006.01) 主分类号 C04B35/515(2006.01)
代理机构 长沙星耀专利事务所 代理人 宁星耀;宁冈
主权项 1.一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将带搅拌装置的反应器反复抽真空、充干燥氮气至少三次,以排除其中的空气和水分,并将反应器预冷至零下8-12度;(2)将原料硼卤烷、卤硅烷及烷基胺按硼卤烷∶卤硅烷的摩尔比为1∶10-10∶1,烷基胺过量的配比加入反应器中;所述硼卤烷的分子式如下所示:BXaR1 3-a 其中,卤素X=Cl,Br;R1=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基;a=1、2、3;所述卤硅烷为烷基卤硅烷,其分子通式为:R2 mR3 nSiR4 (4-m-n) 其中烷基R2及R3=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基;R2及R3相同或不同;卤素R4=Cl,Br;m及n=0、1、2、3、4,m+n<4,且m、n不同时为0;所述烷基胺化合物的分子通式为:R5 pR6 qN其中R5及R6=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基,R5及R6相同或不同;p及q=0、1、2、3,p+q=3;所述硼卤烷、卤硅烷以注射的方式加入至带搅拌装置的反应器中,然后一边搅拌,一边加入第三种单体烷基胺,反应迅速进行,放热使体系温度升高并产生沉淀,至体系温度不再升高时,停止第三种单体烷基胺的加入;(3)待体系温度降至室温时,将第(2)步所得产物在干燥氮气的保护下过滤;(4)将第(3)步所得滤液置于带冷凝管和裂解柱、回流装置的反应器中,缓慢加热进行共热缩聚,最终反应温度为200-500℃,裂解柱温度为300-500℃,并在该温度下保温1-10小时;(5)将体系温度降至100-350℃,减压蒸馏0.3-4小时,除去溶剂、小分子后,降至室温,即得到无色透明的先驱体聚硼硅氮烷。
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