带有一个或更多通孔的半导体结构

摘要

公开了带有一个或更多通孔的半导体结构。可以使用馈通金属化过程来对通孔进行密封。

主权项

1.一种用于提供带有一个或更多个通孔的半导体结构的方法，所述半导体结构具有前表面、基本与该前表面相对的背表面、朝向该背表面的第一半导体层、朝向该前表面的第二半导体层以及一布置于所述第一和第二半导体层之间的基本上抗蚀刻的层，所述方法包括：从该背表面起蚀刻透过所述第一半导体层；当所述抗蚀刻层的背部露出时，停止从该背表面进行蚀刻，该抗蚀刻层的露出的背部与所述至少一个或更多个通孔的位置相对应；从该前表面蚀刻透过所述第二半导体层；当所述抗蚀刻层的前部露出时，停止从该前表面进行蚀刻，所述抗蚀刻层的露出的前部与所述一个或更多个通孔的位置相对应；至少将所述抗蚀刻层的、与所述一个或更多个通孔中的位置相对应的部分除去，以便在蚀刻之后形成所述一个或更多个通孔；和对所述一个或更多个通孔进行密封。