| 发明名称 | CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构。该金属连线结构包括由金属阻挡层和金属钨构成的第一层金属连线层，以及与栅层及硅衬底有源区互连的接触孔。该金属连线层通过刻蚀覆盖在晶体管栅极层上的层间介质膜，形成沟槽和接触孔，并在沟槽中填入金属阻挡层和金属钨形成。在层间介质膜底部加入刻蚀停止层来实现第一层金属连线层与栅层及硅衬底有源区的电学绝缘隔离。本发明还公开了上述CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构的制作方法。本发明可以用相对简单的工艺步骤来完成金属连线和接触孔结构，能降低层间介质膜厚度并能降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101150136A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610116157.6 | 申请日期 | 2006.09.18 |
| 申请人 | 格科微电子（上海）有限公司;格科微电子有限公司 | 发明人 | 李文强;赵立新;李杰 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器集成电路中的金属连线结构，其特征在于，包括由金属阻挡层和金属钨构成的第一层金属连线层，以及与栅层和硅衬底有源区互连的接触孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号1号楼705室 | ||