Method for anisotropically plasma dry-etching a silicon nitride layer with a gas mixture containing fluorine,申请号EP19990123893-传众专利搜索

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发明名称	Method for anisotropically plasma dry-etching a silicon nitride layer with a gas mixture containing fluorine
摘要
申请公布号	EP1014434(B1)	申请公布日期	2008.03.26
申请号	EP19990123893	申请日期	1999.12.02
申请人	ATMEL GERMANY GMBH	发明人	GELLRICH, NORBERT, DR.;KIRCHMANN, RAINER
分类号	H01L21/311	主分类号	H01L21/311
代理机构		代理人
主权项
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