发明名称 双银复合结构的低反射高遮阳的低辐射镀膜玻璃及工艺
摘要 本发明提供一种双银复合结构的低反射高遮阳的低辐射镀膜玻璃及镀制工艺,该玻自玻璃基板向外的结构层依次为:玻璃/电介质层(1)/复合吸收层(1)/银层(1)/保护层(1)/复合电介质层(1)/银层(2)/保护层(2)/电介质层(2);采用真空磁控溅射镀膜工艺,优点是,具有红外线反射能力强,膜层表面辐射率低,在获得高遮阳性能的同时,实现可见光的中低透过率和中低反射率等优良特性的玻璃。
申请公布号 CN101148329A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200710045930.9 申请日期 2007.09.13
申请人 上海耀华皮尔金顿玻璃股份有限公司;上海耀皮工程玻璃有限公司 发明人 王茂良;安吉申;吴斌;李志军;孙大海
分类号 C03C17/36(2006.01);C23C14/35(2006.01) 主分类号 C03C17/36(2006.01)
代理机构 上海东亚专利商标代理有限公司 代理人 罗习群
主权项 1.一种双银复合结构的低反射高遮阳的低辐射镀膜玻璃,其特征在于:在玻璃基板镀制多层膜层的结构,各膜层结构,自玻璃基板向外依次为:玻璃/电介质层(1)/复合吸收层(1)/银层(1)/保护层(1)/复合电介质层(1)/银层(2)/保护层(2)/电介质层(2);其中:电介质层(1)为Sn02,膜层厚度为35nm~40nm;银层(1)、(2)为Ag;膜层厚度为10nm~12nm;复合吸收层(1)为NiCr/陶瓷ZnOx;膜层厚度为12nm~14nm;保护层(1)、(2)为NiCr;膜层厚度为1nm~2nm;复合电介质层(1)为TiOx/SnO2/TiOx/ZnO结构;膜层厚度为100nm~110nm;;电介质层(2)为Si3N4;膜层厚度为35nm~40nm。
地址 200126上海市浦东新区济阳路100号