| 发明名称 | 一种减小钝化晶片表面漏电电流的方法及其反应装置 | ||
| 摘要 | 一种减小由碳或硅的悬空键引起的表面漏电电流的方法及其反应装置。现有的表面漏电清除方法存在处理后的钝化晶片表面粗糙不平、表层去除厚度大及能量消耗大等问题。本发明的减小钝化晶片表面漏电电流的方法，是将钝化晶片置于充有包含氧气、氮气和氢气的混和气体的反应装置中进行表面漏电清除。于本发明一实施例中，所述的混和气体中氧气的含量占50％－98％，氮气的含量占1％－49％，氢气的含量占0.06％－10％。利用本发明的方法和反应装置，可有效减少钝化晶片表面碳或硅的悬空键，从而减小表面漏电电流，而且该方法和装置还具有反应能量低，晶片表面去除厚度小等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101150063A | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
| 申请号 | CN200610116168.4 | 申请日期 | 2006.09.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王津洲;章国伟 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种减小钝化晶片表面漏电电流的方法，其特征在于：所述方法是将钝化晶片置于充有包含氧气、氮气和氢气的混和气体的反应装置中进行表面漏电清除。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||