发明名称 具有改进的窗口结构的半导体激光二极管
摘要 本发明涉及一种具有增加的灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值限制的半导体激光二极管结构,特征在于二极管输出端面处的三个区域,有时称为窗口。这些包括光透明区域、电流阻挡区域和部分电流阻挡区域。
申请公布号 CN101150245A 申请公布日期 2008.03.26
申请号 CN200710151911.4 申请日期 2007.09.20
申请人 JDS尤尼弗思公司 发明人 马修·格伦·彼得斯;维克托·罗辛;埃里克·保罗·朱克
分类号 H01S5/16(2006.01);H01S5/20(2006.01);H01S5/30(2006.01) 主分类号 H01S5/16(2006.01)
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 郑小粤
主权项 1.一种具有增加的灾变性光学损伤阈值的半导体激光器,包括:具有第一反射表面和第二反射表面的半导体芯片,所述第一反射表面和所述第二反射表面彼此以距离LC相对设置以形成光学腔;从所述第二反射表面向所述第一反射表面延伸的、用于发射激光发射的、长度为L1的窗口区域;所述光学腔内的、用于发射所述激光发射通过所述窗口区域到所述第二反射表面、并且从所述窗口区域向所述第一反射表面延伸的有源波导层;用于将电流电泵浦入所述有源波导层的主要区域、以产生用于获得所述激光发射的第一电流密度的第一电流注入装置;以及用于阻挡所述电流流过所述半导体芯片的阻挡区域、并且从所述第二反射表面向所述第一反射表面延伸的、长度为L2A的第一阻挡层,其中L2A大于或等于所述窗口区域的长度L1。
地址 美国加利福尼亚州苗必达麦卡锡林荫大道430号