发明名称 | 生产Ⅲ族氮化物晶体的方法 | ||
摘要 | 提供一种生产III族氮化物晶体的方法,在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外,也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法,在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长,而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。 | ||
申请公布号 | CN100376727C | 申请公布日期 | 2008.03.26 |
申请号 | CN200510004041.9 | 申请日期 | 2005.01.10 |
申请人 | 住友电气工业株式会社;森勇介 | 发明人 | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史郎;弘田龙 |
分类号 | C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | C30B29/40(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
主权项 | 1.一种生产III族氮化物晶体的方法,其中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体,基质(10)放置在所述熔体(7)中以在所述基质(10)上生长所述III族氮化物晶体,所述熔体(7)表面和所述基质(10)表面之间的最小距离为至多50mm。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |