| 主权项 |
1.一种负载锁定室包括: 一处理室本体,其具有一适于连接一真空处理室之 第一侧,以及一适于连接一工厂介面之第二侧; N个垂直层叠的基材传送室,其系形成于该处理室 本体内,其中N是大于2的整数,其中至少该等垂直层 叠的基材传送室之一具备有配置于该基材传送室 之至少一侧壁之一排气埠口及一抽吸埠口;以及 N-1个内壁,每一内壁可使邻近的基材传送室分离并 与周遭环境隔离。 2.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中该 处理室本体是由一块材料制成。 3.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中该 第一和第二侧中至少一者系由一块材料制成的内 壁制成以形成一处理室次部件,且该处理室次部件 的第一和第二侧部与其密封连接。 4.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中该 处理室本体更包括: 多个模块部分,每一部分包括至少一基材传送室, 其中该模块部分是垂直层叠的。 5.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中该 基材传送室具有一小于或等于约1000立方公升的内 体积。 6.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中每 一基材传送室更包括多个固定的基材支撑体,该等 支撑体系适于将基材传送室中之一基材维持在与 处理室本体呈空间分离的位置。 7.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中每 一基材传送室适于容纳一平面面积至少为2.7平方 米的基材。 8.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中每 一基材传送室更包括: 一冷却板,设置于该处理室本体的至少一内壁、顶 部或底部之上或与之一体成形。 9.如申请专利范围第8项所述的负载锁定室,其中该 冷却板更包括: 多个通道,适于一热传递流体流经其间。 10.如申请专利范围第8项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室更包括: 多个固定的基材支撑体,适于将基材传送室内之一 基材维持在与处理室本体呈空间分离的位置,且至 少一基材支撑体系穿设经该冷却板;及 一致动器,其连接至该冷却板,并适于控制该冷却 板相对于该基材支撑体之一末端的高度。 11.如申请专利范围第10项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室更包括: 一加热器,设置于该基材传送室之至少一顶部或底 部。 12.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室更包括: 一加热器,设置于该基材传送室之至少一顶部或底 部。 13.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室更包括: 一校准机构,设置在该基材传送室之至少数个对角 内,并适应于在基材传送室中将基材水平地校准于 一预定方位。 14.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室更包括: 一排气埠口及一抽吸埠口。 15.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室的抽吸埠口系连接一单一帮浦。 16.如申请专利范围第1所述的负载锁定室,其中每 一基材传送室的抽吸埠口系连接各自的帮浦。 17.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 该内壁更包括: 多个凹槽,其等系连设(running)在该第一及第二侧之 间,该等凹槽适于接受一基材传送机器人之一末端 执行器的至少一部分。 18.如申请专利范围第13项所述的负载锁定室,其中 该校准机构更包括: 一杆,延伸经过一形成于该处理室本体之槽; 两个滚筒,连接到该杆之一第一端;以及 一致动器,连接至该杆,该致动器适于驱使该等滚 筒邻靠该处理室本体内一基材之边缘。 19.如申请专利范围第18项所述的负载锁定室,其中 该校准机构更包括: 一外壳,密封地设置于该槽上方;以及 一密封件,其助于将该致动器连接至该杆而不会由 该处理室本体产生真空泄漏。 20.如申请专利范围第18项所述的负载锁定室,其中 该杆枢轴地连接到该处理室本体。 21.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 每一基材传送室更包括: 两个基材存取埠,其宽度大于至少2000mm。 22.一种负载锁定室,其至少包括: 一处理室本体,其具有一适于连接一真空处理室之 第一侧,以及一适于连接一工厂界面之第二侧; 一第一处理室,形成在该处理室本体内; 一第一槽阀,其连接至处理室本体,用以选择性密 封形成于该处理室本体第一侧之一第一基材存取 埠; 一第二槽阀,其连接至处理室本体,用以选择性密 封形成于该处理室本体第二侧之一第二基材存取 埠; 至少一第二处理室,形成于处理室本体内,并藉由 一水平壁与该第一处理室隔离; 一冷却板,设置于该第二处理室; 一致动器,连接至该冷却板,且配置来控制在该第 二处理内之该冷却板的高度;一第三槽阀,其连接 至该第二处理室,用以选择性密封形成于该处理室 本体第一侧之一第三基材存取埠; 一第四槽阀,其连接至该处理室本体,用以选择性 密封一连接至该第二处理室之第四基材存取埠; 一第三处理室,形成于该第一及第二处理室上方之 该处理室本体内,并藉由一第二水平壁与该第二处 理室分离; 一第五槽阀,其连接至该处理室本体,用以选择性 密封一连接至该第三处理室之第五基材存取埠;以 及 一第六槽阀,其连接至该处理室本体,用以选择性 密封一连接至该第三处理室之第六基材存取埠。 23.如申请专利范围第21项所述的负载锁定室,更包 括: N个处理室,其形成于该处理室本体内,用于接受一 单一基材,每一室系藉由一水平壁与邻近处理室分 开,其中N是大于3的整数。 24.如申请专利范围第21项所述的负载锁定室,更包 括: 一第一压力作业系统,可流体地连通到该第一处理 室;以及 一第二压力作业系统,可流体地连通到该第二处理 室,该第一和第二压力作业系统可独立控制。 25.如申请专利范围第24项所述的负载锁定室,其中 该第一压力作业系统更包括: 一排气阀,经由一排气口连接到该第一处理室;以 及 一帮浦,经由一抽吸口连接到该第一处理室。 26.如申请专利范围第21项所述的负载锁定室,更包 括: 一辐射式加热器,设置在每一基材传送室中。 27.如申请专利范围第21项所述的负载锁定室,更包 括: 一冷却板,设置在每一基材传送室中。 28.一种负载锁定室,其至少包括: 一处理室本体,其具有一适于连接一真空处理室之 第一侧,以及一适于连接一工厂界面之第二侧; 一第一处理室,形成在处理室本体内; 一第一槽阀,连接至该处理室本体,用以选择性密 封一形成于该处理室本体第一侧之第一基材存取 埠; 一第二槽阀,连接至该处理室本体,用以选择性密 封一形成于该处理室本体第二侧之第二基材存取 埠; 一第二处理室,形成于该处理室本体内,并藉由一 水平壁与该第一处理室环境隔离; 一第三槽阀,连接至该第二处理室,用以选择性密 封一形成于该处理室本体第一侧之第三基材存取 埠; 一第四槽阀,连接至该处理室本体,用以选择性密 封一连接至该第二处理室之第四基材存取埠; 一第三处理室,形成于该处理室本体内,其并藉由 一水平壁与该第二处理室环境隔离; 一第五槽阀,连接至该第三处理室,用以选择性密 封一形成于该处理室本体第一侧之第五基材存取 埠;及 一第六槽阀,连接至该处理室本体,用以选择性密 封一连接至该第三处理室之第六基材存取埠,其中 每一室都设置为能容纳具有表面积至少为2.7平方 米的基材,每一室更包括: 一冷却设备,设置在该处理室之一底部; 一加热设备,设置在该处理室之一顶部; 多个基材支撑销,由该处理室之该底部延伸; 一校准机构,适于使一基材位于该处理室内中央处 ; 一排气口;及 一抽吸口。 29.如申请专利范围第28项所述的负载锁定室,其中 每一处理室之该抽吸口系连接一单一帮浦。 30.如申请专利范围第28项所述的负载锁定室,其中 每一处理室之该抽吸口系与各自的帮浦相连接。 31.如申请专利范围第28项所述的负载锁定室,其中 每一室更包括: 一致动器,连接至该冷却板,且适于控制该冷却板 相对于基材支撑体之一末端的高度。 32.如申请专利范围第28项所述的负载锁定室,其中 该校准机构更包括: 一杆,延伸经过一穿设于该处理室本体之槽; 两个滚筒,连接到该杆之一第一末端,以及 一致动器,连接至该杆,该致动器适于驱使该等滚 筒靠抵该处理室本体内一基材之邻近边缘。 33.如申请专利范围第28项所述的负载锁定室,其中 该校准机构更包括: 一外壳,密封地设置于该槽上方;以及 一密封件,其助于将该致动器连接至该杆以避免该 处理室本体不会产生真空泄漏。 34.如申请专利范围第32项所述的负载锁定室,其中 该杆系枢轴地连接至该处理室本体。 35.如申请专利范围第32项所述的负载锁定室,其更 包括: 一轴,连接至该杆并穿设于该处理室本体;以及 一第二杆,设置于该处理室本体外,并连接该轴及 该致动器。 36.一种大面积之基材处理系统,其至少包括: 一传送室; 一传送机器人,设于该传送室内; 多个制程处理室,连接至该传送室;以及 多个垂直层叠之单一基材负载锁定室,连接至该传 送室,其中各基材传送室都有一等于或小于约1000 升的内部体积,以容纳应具有平面表面积2.7平方米 的基材。 37.如申请专利范围第1项所述的负载锁定室,其中 该抽吸埠口和该排气埠口系配置在相反的侧壁上 。 38.如申请专利范围第22项所述的负载锁定室,其中 更包含: 一第二冷却板,配置在该第三处理室中;以及 一第二致动器,连接至该第二冷却板并配置来控制 在该第二处理室内之该第二冷却板的高度。 39.一种负载锁定室,包含: 一处理室本体,具有被界定在其中之一基材传送室 ; 至少二存取埠,被界定贯穿该处理室本体并适合将 一基材传送出或传送入该处理室本体; 一基材支撑体,配置在该基材传送室中; 一第一校准机构及一第二校准机构,配置在该基材 传送室中,设计成可以选择性移动一基材至该基材 支撑体的预定位置; 一第一致动器,配置于该基材传送室的外侧,并连 接该第一校准机构。 40.如申请专利范围第39项所述的负载锁定室,其中 该第一校准机构更包含: 一杆,延伸经过一穿设于该处理室本体之槽并连接 该第一致动之一第一末端; 两个滚筒,具有垂直于该基材支撑体之一平面的转 动轴,该等滚筒连接到该杆之一第二末端。 41.如申请专利范围第39项所述的负载锁定室,其中 该第一校准机构更包含: 一外壳,密封地设置于该槽上方;以及 一密封件,其有助于将该致动器连接至该杆而不会 由该处理室本体产生真空泄漏。 42.如申请专利范围第40项所述的负载锁定室,其中 该杆枢轴地连接到该处理室本体。 43.如申请专利范围第39项所述的负载锁定室,其中 更包含: 一第二基材传送室,界定在该本体中;以及 一第三基材传送室,界定在该本体中,其中该等基 材传送室各自设计成能容纳一具有一平面面积2.7 平方米之基材,并具有一等于或小于约1000升的内 部体积。 44.如申请专利范围第43项所述的负载锁定室,其中 该等等基材传送室各自更包含: 一排气埠口,形成于贯穿该处理室本体之一侧壁。 45.如申请专利范围第43项所述的负载锁定室,其中 该致动器适合以对该基材支撑体的一平面垂直之 转动轴来转动该第一校准机构。 图式简单说明: 第1图是用于处理大面积基材的处理系统的一实施 例的顶部平面图; 第2图是包括多个室的负载锁定室的一实施例之侧 视图; 第3图是负载锁定室沿第2图的截面线3-3的剖视图; 第3A图所示的是第2图中的具有一共享真空帮浦的 负载锁定室; 第4A-B图是第3图中的负载锁定室的局部剖视图; 第5图是校准机构的一实施例; 第6-7图校准机构的另一实施例的剖视图; 第8图是负载锁定室的另一实施例;和, 第9图是现有技术中常规的双通道双基材负载锁定 室的一实施例。 |
