发明名称 使用具电渗泵之外部散热器来冷却积体电路
摘要 一予以冷却的积体电路可以被以面对面方式邻接至一冷却用积体电路。该冷却用积体电路可以包含电渗泵,以经由微通道抽送冷却流体通过该冷却用积体电路,藉以冷却产生热之积体电路。该电渗泵可以流体耦接至外部散热器,该等散热器系由包含积体电路的封装体向上延伸。更明确地说,外部散热器可以安装在多数管上,该等管将散热器延伸离开封装体。
申请公布号 TWI295094 申请公布日期 2008.03.21
申请号 TW093132755 申请日期 2004.10.28
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 吉罗伊 凡地塔普;拉文德纳斯 马哈加;艾伦 梅尔斯;詹姆士 马维第;昆特 弗;理察 李斯特;莎拉 金;拉维 普勒雪
分类号 H01L23/34(2006.01) 主分类号 H01L23/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种冷却积体电路的方法,包含: 将一具有多数微通道形成于其中之积体电路固定 至予以冷却的一积体电路; 使一冷却流体予以为在该等微通道之一内的一电 渗泵所抽送经该等微通道;及 将该冷却流体经由多数管耦接至外部热交换器。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含封装该 冷却用积体电路与该热产生积体电路。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,包含将该等管 由该封装体延伸至该外部热交换器,使得热交换器 系与该封装体分隔。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,包含形成该冷 却用积体电路与该热产生积体电路的一堆叠。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,包含将该堆叠 的边缘密封,除了接通该等微通道的埠之外。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,包含设置一流 体入口贮器及一流体出口贮器与该等微通道相通 。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,包含在一包含 该堆叠的封装体中形成该等贮器。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,包含分隔开在 该封装体中之该等入口及出口贮器。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,包含在封装体 外耦接该等入口及出口贮器。 10.一种封装积体电路,包含: 一堆叠,包含一予以冷却的积体电路晶片及一冷却 用积体电路晶片,该冷却用积体电路晶片包含多数 微通道,用以循环冷却流体; 一封装体,收纳该堆叠,该封装体中形成有一入口 流体贮器及一出口流体贮器,以与该等微通道相通 ;及 一外部热交换器,藉由一对冷却流体循环管,安装 在该封装体上。 11.如申请专利范围第10项所述之封装积体电路,包 含第一沟渠,用以包含流体,以由该冷却用积体电 路晶片的外部与该等通道相通。 12.如申请专利范围第11项所述之封装积体电路,包 含第二沟渠,与第一沟渠相隔并靠在该封装体中之 冷却用积体电路晶片。 13.如申请专利范围第12项所述之封装积体电路,其 中该第二沟渠包含流体并与该等微通道作流体相 通。 14.如申请专利范围第10项所述之封装积体电路,其 中该热产生积体电路晶片的边缘被密封。 15.一种封装积体电路结构,包含: 一堆叠,包含一予以冷却的积体电路晶片及一冷却 用积体电路晶片,该冷却用积体电路包含多数微通 道,用以循环一冷却流体; 一封装体,收纳该堆叠,该封装体中形成有入口流 体贮器及出口流体贮器,以与该等微通道相通;及 一外部热交换器,与该出口流体贮器及该入口流体 贮器相通。 16.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该等积 体电路晶片的边缘被密封。 17.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该堆叠 接触该等流体贮器。 18.如申请专利范围第17项所述之结构,其中该等微 通道与该冷却用积体电路晶片的边缘相通。 19.如申请专利范围第15项所述之结构,其中该外部 热交换器经由一对流体循环管安装在该封装体上, 该等管被安排以将流体循环经该热交换器。 20.如申请专利范围第19项所述之结构,其中该外部 热交换器系与该封装体相隔。 21.如申请专利范围第15项所述之结构,包含在该冷 却用积体电路晶片中之多数电渗泵。 22.如申请专利范围第21项所述之结构,包含一重组 器耦接至前述每一电渗泵。 图式简单说明: 第1图为依据本发明一实施例之操作的示意图; 第2图为在较早制造阶段之本发明实施例的放大剖 面图; 第3图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放大 剖面图; 第4图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放大 剖面图; 第5图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放大 剖面图; 第6图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放大 剖面图; 第7图为依据本发明实施例之顺序制造阶段中沿着 第8图的线7-7所取之放大剖面图; 第8图为依据本发明实施例之示于第8图实施例的 俯视图; 第9图为依据本发明实施例之完成结构的放大剖面 图; 第10图为在制造之早期阶段的重组器示意图; 第11图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放 大剖面图; 第12图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放 大俯视图; 第13图为依据本发明实施例之第12图中之线13-13所 取之剖面图; 第14图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的放 大剖面图; 第15图为依据本发明实施例之顺序制造阶段的第14 图实施例的俯视图; 第16图为依据本发明实施例之第15图中之线16-16所 取之剖面图; 第17图为依据本发明实施例之顺序制造阶段对应 于第16图之剖面图; 第17A图为依据本发明实施例之重组器的侧视图; 第18图为依据本发明实施例之封装系统之示意图; 第19图为依据本发明另一实施例之封装系统之剖 面图; 第20图为依据本发明另一实施例之封装系统之剖 面图; 第21图为依据本发明另一实施例之冷却系统的示 意图; 第22图为本发明另一实施例的示意图; 第23图为本发明另一实施例之示意图; 第24图为由本发明实施例沿着第25图之线24-24所取 之放大剖面图;及 第25图为依据本发明实施例沿着第24图的线25-25所 取之剖面图。
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