| 主权项 |
1.一种静电防护装置,包括: 一第一导电型的基板,含有一该第一导电型的井; 一该第一导电型的第一高浓度扩散区、一与该第 一导电型相反的第二导电型的第二高浓度扩散区 、一该第二导电型的第三高浓度扩散区以及该第 一导电型的第四高浓度扩散区位于该井中; 一场氧化层,用以隔离该第一高浓度扩散区、该第 二高浓度扩散区与该第三及第四高浓度扩散区; 一第一导电层,连接该第一及第二高浓度扩散区; 以及 一第二导电层,与该第三高浓度扩散区接触形成电 性连接; 其中,该第三及第四高浓度扩散区彼此分开,藉由 改变该第三与第四扩散区之间的距离,调整该静电 防护装置的崩溃电压。 2.如请求项1的静电防护装置,其中该第一及第二导 电层包括金属层。 3.如请求项1的静电防护装置,其中该第一导电层连 接接地端。 4.如请求项1的静电防护装置,其中该第二导电层连 接一接垫。 5.一种静电防护装置,包括: 一第一导电型的基板,含有一该第一导电型的井; 一该第一导电型的第一高浓度扩散区、一与该第 一导电型相反的第二导电型的第二高浓度扩散区 、一该第二导电型的第三高浓度扩散区以及该第 一导电型的第四高浓度扩散区位于该井中; 一场氧化层,用以隔离该第一高浓度扩散区与该第 二、第三及第四高浓度扩散区; 一闸极,横跨该第二及第三高浓度扩散区上,并连 接该第二及第三高浓度扩散区; 一第一导电层,连接该第一及第二高浓度扩散区; 以及 一第二导电层,与该第三高浓度扩散区接触形成电 性连接; 其中,该第二、第三及第四高浓度扩散区彼此分开 ,藉由改变该第三与第四高浓度扩散区之间的距离 ,调整该静电防护装置的崩溃电压。 6.如请求项5的静电防护装置,其中该第一及第二导 电层包括金属层。 7.如请求项5的静电防护装置,其中该第一导电层连 接接地端。 8.如请求项5的静电防护装置,其中该第二导电层连 接一接垫。 9.如请求项5的静电防护装置,其中该闸极包括一闸 极氧化层及一位于其上的闸极多晶矽。 10.一种静电防护装置,包括: 一第一导电型的基板; 一与该第一导电型相反的第二导电型的磊晶层位 于该基板上; 一该第一导电型的第一扩散区及一该第二导电型 的第二扩散区位于该磊晶层中; 一该第二导电型的第三扩散区,位于该第一扩散区 中;以及 一该第二导电型的第四扩散区,从该第二扩散区延 伸至该第一与第二扩散区中的该磊晶层中; 其中,藉由改变该第一及第四扩散区之间的距离, 调整该静电防护装置的崩溃电压。 11.如请求项10的静电防护装置,其中该第二扩散区 为集流区。 12.如请求项10的静电防护装置,其中该第四扩散区 的浓度大于该第二扩散区。 13.如请求项10的静电防护装置,其中该第一扩散区 为基极扩散区。 14.如请求项10的静电防护装置,其中该第三扩散区 为射极扩散区。 15.一种静电防护装置,包括: 一第一导电型的基板,含有相邻的一该第一导电型 的第一井及一与该第一导电型相反的第二导电型 的第二井; 一该第一导电型的第一高浓度扩散区,位于该第一 井中;以及 一该第二导电型的第二高浓度扩散区,位于该第二 井中; 其中,藉由改变该第一及第二高浓度扩散区之间的 距离,调整该静电防护装置的崩溃电压。 图式简单说明: 图1系习知静电防护装置的示意图; 图2系图1的等效电路; 图3系图1所示的装置在操作时的电流-电压曲线; 图4系图3中电流-电压曲线40在A点时电流流动的示 意图; 图5系图3中电流-电压曲线40在B点时电流流动的示 意图; 图6系习知应用于LV-NMOS静电防护装置的示意图; 图7系图6的等效电路; 图8系习知应用于BJT制程的静电防护装置的示意图 ; 图9系图8的电路图; 图10系图9的等效电路; 图11系图8中用于静电防护的BJT结构的示意图; 图12系本发明的静电防护装置; 图13系图12的等效电路; 图14系图12所示的装置在操作时的电流-电压曲线; 图15系图14中电流-电压曲线144在A点时电流流动的 示意图; 图16系图14中电流-电压曲线144在B点时电流流动的 示意图; 图17系习知电流-电压曲线与本发明电流-电压曲线 的比较图; 图18系本发明应用于LV-NMOS静电防护装置的示意图; 图19系图18的等效电路; 图20系本发明应用于BJT制程的静电防护装置的示 意图; 图21系图20的等效电路; 图22系本发明应用于HV-CMOS静电防护装置的示意图; 图23系图22中高浓度扩散区208与井206之间的距离与 崩溃电压的关系图;以及 图24系图22中高浓度扩散区210与井204之间的距离与 崩溃电压的关系图。 |
