发明名称 阵列式电导入电极结构
摘要 一种戴附式可挠性电导入电极阵列结构,包括一可挠性电导入电极阵列承置座,开设有复数个承置孔;复数个电导入电极,一一地嵌置在该可挠性电导入电极阵列承置座之承置孔中;一戴附带体,结合在该可挠性电导入电极阵列承置座之两侧端,供使用者藉由该戴附带体佩戴于选定部位,以使嵌置在该可挠性电导入电极阵列承置座之各个可挠性电导入电极对该选定部位产生电导入信号。可挠性电导入电极阵列包括一可挠性底层、一导电电极面、绝缘隔绝区、以及嵌置在该可挠性底层之预定间隔位置之电导入电极,每一个电导入电极之间系由绝缘隔绝区予以区隔绝缘。
申请公布号 TWM328881 申请公布日期 2008.03.21
申请号 TW096213219 申请日期 2007.08.10
申请人 陈侑郁 发明人 陈侑郁
分类号 A61N1/04(2006.01) 主分类号 A61N1/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈惠蓉 台北市大安区基隆路2段166号5楼
主权项 1.一种戴附式可挠性电导入电极阵列结构,包括: 一可挠性电导入电极阵列承置座,具有一导电电极 面; 复数个电导入电极,一一地嵌置在该可挠性电导入 电极阵列承置座之导电电极面; 一戴附带体,结合在该可挠性电导入电极阵列承置 座之两侧端,供使用者藉由该戴附带体佩戴于选定 部位,以使各个电导入电极贴附于该选定部位,以 及使嵌置在该可挠性电导入电极阵列承置座之各 个可挠性电导入电极对该选定部位产生电导入信 号。 2.如申请专利范围第1项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该可挠性电导入电极阵列承 置座是由聚胺基甲酸酯类(PU类)、矽烷类(silicone类 )、橡胶类(rubber类)、不织布类、织布类、导电纤 维、纸质之一之可挠性材料所制成。 3.如申请专利范围第1项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该可挠性电导入电极阵列包 括一可挠性底层、一导电电极面、绝缘隔绝区、 以及嵌置在该可挠性底层之预定间隔位置之电导 入电极,每一个电导入电极之间系由绝缘隔绝区予 以区隔绝缘。 4.如申请专利范围第1项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该电导入电极系由碳、金属 粉末或微粒包括金、银、铜、铁或其他导电物质 组合之一导电材料所组成。 5.如申请专利范围第1项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该电导入电极系由导电布或 导电纤维之一所制成。 6.一种戴附式可挠性电导入电极阵列结构,包括:一 可挠性电导入电极阵列承置座,具有一导电电极面 ;一可挠性电导入电极阵列,嵌置在该可挠性电导 入电极阵列承置座之导电电极面,该可挠性电导入 电极阵列包括一可挠性底层、复数个绝缘隔绝区 、以及嵌置在该可挠性底层之预定间隔位置之电 导入电极,每一个电导入电极之间系由绝缘隔绝区 予以区隔绝缘。 7.如申请专利范围第6项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其更包括有一戴附带体,结合在 该可挠性电导入电极阵列承置座之两侧端。 8.如申请专利范围第6项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该可挠性电导入电极阵列承 置座是由聚胺基甲酸酯类(PU类)、矽烷类(silicone类 )、橡胶类(rubber类)、不织布类、织布类、导电纤 维、纸质之一之可挠性材料所制成。 9.如申请专利范围第6项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该可挠性电导入电极阵列包 括一可挠性底层、一导电电极面、绝缘隔绝区、 以及嵌置在该可挠性底层之预定间隔位置之电导 入电极,每一个电导入电极之间系由绝缘隔绝区予 以区隔绝缘。 10.如申请专利范围第6项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该电导入电极系由碳、金属 粉末或微粒包括金、银、铜、铁或其他导电物质 组合之一导电材料所组成。 11.如申请专利范围第6项所述之戴附式可挠性电导 入电极阵列结构,其中该电导入电极系由导电布或 导电纤维之一所制成。 图式简单说明: 第1图系显示本创作戴附式可挠性电导入电极阵列 结构之立体图; 第2图系显示本创作可挠性电导入电极阵列嵌置于 电极阵列承置座之立体图; 第3图系显示本创作可挠性电导入电极阵列嵌置于 该电极阵列承置座之平面图; 第4图系显示第2图中4-4断面之剖视图; 第5图系显示本创作第一实施例控制电路图; 第6图系显示本创作第二实施例之控制电路图。
地址 台北市信义区忠孝东路5段236巷45弄9之1号1楼