| 主权项 |
1.一种屏蔽带,其包含一纵向延伸之中心区域,及一 列阵沿着该纵向延伸中心区域之横向延伸切槽,每 一该切槽具有一末端,该末端具有一比该切槽较大 之横截面,使得该等末端系在该等切槽之交替端部 。 2.如申请专利范围第1项之屏蔽带,其中该等切槽由 该中心区域交替地延伸朝向该屏蔽带之相向两侧 。 3.如申请专利范围第1项之屏蔽带,其中每一该末端 系实质上呈泪珠形。 4.如申请专利范围第1项之屏蔽带,其中每一该末端 系实质上呈球茎状。 5.如申请专利范围第1项之屏蔽带,另包含卷绕在该 中心区域下方之纵向延伸横侧边缘区域,且其中每 一该切槽包含一第二末端,其至少局部在该等横侧 边缘区域之至少一区域内延伸。 6.如申请专利范围第1项之屏蔽带,其中该中心区域 系沿着该屏蔽带之一段长度弯曲,以便对该屏蔽带 赋予一弓形之横截面轮廓。 7.如申请专利范围第1项之屏蔽带,其中该屏蔽带包 含一大致上三角形之横截面轮廓。 8.如申请专利范围第1项之屏蔽带,其中该等末端系 架构成可将高应力区域分配至低应力区域。 9.一种屏蔽带,其包含一纵向延伸之中心区域,及至 少一沿着该纵向延伸中心区域之横向延伸切槽,该 切槽具有至少一放大部份,该放大部份在高应力集 中之大约至少一预定区域具有一比该切槽较大之 横截面。 10.如申请专利范围第9项之屏蔽带,其中该至少一 放大部份系位于该至少一切槽之一端点部份。 11.如申请专利范围第9项之屏蔽带,其中该至少一 切槽包含一列阵之横向延伸切槽,每一切槽在高应 力集中之一预定区域具有至少一放大部份。 12.如申请专利范围第11项之屏蔽带,其中该等放大 部份系在该等切槽之交替端部。 13.如申请专利范围第9项之屏蔽带,另包含卷绕在 该中心区域下方之纵向延伸横侧边缘区域,且其中 该切槽包含一端点部份,其至少局部在该等横侧边 缘区域之至少一区域内延伸。 14.如申请专利范围第9项之屏蔽带,其中该中心区 域系沿着该屏蔽带之一段长度弯曲,以便对该屏蔽 带赋予一弓形之横截面轮廓。 15.如申请专利范围第9项之屏蔽带,其中该屏蔽带 包含一大致上三角形之横截面轮廓。 16.如申请专利范围第9项之屏蔽带,其中该放大部 份系架构成可将与高应力集中之预定区域有关之 应力分配至低应力集中之一预定区域。 17.一种具有纵向延伸中心区域的屏蔽带之制造方 法,该方法包含沿着该纵向延伸中心区域形成至少 一横向延伸切槽,使得该切槽在高应力集中之大约 至少一预定区域包含至少一放大部份。 18.如申请专利范围第17项之方法,另包含藉着一屏 蔽带之计算模型制作决定高应力集中之预定区域, 该屏蔽带具有至少一设有实质上均匀横截面之切 槽,且其中形成切槽之步骤包含形成该放大部份, 该计算模型制作建议将在此放大部份发生一高应 力集中。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中计算模型制 作包含非线性之有限元素分析法。 20.如申请专利范围第17项之方法,其中形成切槽之 步骤包含形成一列阵之横向延伸切槽,每一切槽具 有一放大之端点部份,使得该等放大之端点部份系 在该等切槽之交替端部。 21.如申请专利范围第17项之方法,另包含在该中心 区域下方卷绕该屏蔽带之纵向延伸横侧边缘部份, 使得该切槽至少局部延伸进入该等横侧边缘部份 之至少一部份。 22.如申请专利范围第17项之方法,其中该方法包含 沿着该屏蔽带之一段长度对该中心区域赋予一曲 率,以便对该屏蔽带赋予一弓形之横截面轮廓。 23.如申请专利范围第17项之方法,其中该屏蔽带包 含一大致上三角形之横截面轮廓。 24.一种屏蔽带,其包含一大致上纵向延伸之区域, 及一列阵沿着该大致上纵向延伸区域之大致上横 向延伸的切槽,至少某些切槽具有一末端,该末端 具有一比该切槽较大之横截面,使得该等具有较大 横截面之末端系在该等切槽之交替端部。 25.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该等具有 较大横截面之末端的至少一个具有大于该切槽宽 度之曲率半径。 26.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该等具有 较大横截面之末端由该大致上纵向延伸区域交替 地延伸朝向该屏蔽带之相向两侧。 27.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该等具有 较大横截面之末端的至少一个系实质上泪珠形或 实质上球茎状。 28.如申请专利范围第24项之屏蔽带,另包含设置在 该大致上纵向延伸区域下方之大致上纵向延伸横 侧边缘区域。 29.如申请专利范围第28项之屏蔽带,其中该等切槽 之至少一个包含一末端,该末端之横截面不大于该 切槽之横截面,且至少局部在该等横侧边缘区域之 至少一区域内延伸。 30.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该大致上 纵向延伸区域具有一大致上弓形之横向轮廓。 31.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该屏蔽带 包含一大致上三角形之横向轮廓。 32.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中具有该较 大横截面之末端系架构成可将高应力区域分配至 低应力区域。 33.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中至少该等 切槽包含仅只一末端,该末端之横截面大于该切槽 之横截面。 34.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该等切槽 之至少一个包含超过一个之末端,该末端之横截面 大于该切槽之横截面。 35.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该屏蔽带 包含至少一具有实质上均匀之横截面的切槽。 36.如申请专利范围第24项之屏蔽带,其中该等切槽 在其间界定指状物元件,该等指状物元件架构成可 用于大致上向外弯曲及相对彼此独立地移动。 37.一种电子装置,其包含如申请专利范围第24项之 屏蔽带。 38.一种屏蔽带,其包含一大致上纵向延伸之区域, 及至少一沿着该大致上纵向延伸区域之大致上横 向延伸切槽,该切槽具有至少一放大部份,该放大 部份在高应力集中之大约至少一预定区域具有一 比该切槽较大之横截面。 39.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该至少一 放大部份系位于该至少一切槽之一端点部份。 40.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该至少一 切槽包含一列阵之大致上横向延伸切槽,每一切槽 在高应力集中之一预定区域具有至少一放大部份 。 41.如申请专利范围第40项之屏蔽带,其中该等放大 部份系在该等切槽之交替端部。 42.如申请专利范围第40项之屏蔽带,其中该等切槽 之至少一个包含仅只一放大部份。 43.如申请专利范围第40项之屏蔽带,其中该等切槽 之至少一个包含超过一个之放大部份。 44.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该屏蔽带 包含至少一具有实质上均匀之横截面的切槽。 45.如申请专利范围第38项之屏蔽带,另包含设置在 该大致上纵向延伸区域下方之大致上纵向延伸横 侧边缘区域。 46.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该至少一 切槽包含一端点部份,其至少局部在该等横侧边缘 区域之至少一区域内延伸。 47.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该至少一 放大部份具有大于该切槽宽度之曲率半径。 48.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该至少一 放大部份系实质上泪珠形或实质上球茎状。 49.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该大致上 纵向延伸区域具有一大致上弓形之横向轮廓。 50.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该屏蔽带 包含一大致上三角形之横向轮廓。 51.如申请专利范围第38项之屏蔽带,其中该至少一 放大部份系架构成可将与高应力集中之预定区域 有关之应力分配至低应力集中之一预定区域。 52.一种电子装置,其包含如申请专利范围第38项之 屏蔽带。 53.一种具有大致上纵向延伸区域的屏蔽带之制造 方法,该方法包含沿着该大致上纵向延伸区域形成 至少一大致上横向延伸切槽,使得该切槽在高应力 集中之大约至少一预定区域包含至少一放大部份 。 54.如申请专利范围第53项之方法,另包含藉着一屏 蔽带之计算模型制作决定高应力集中之预定区域, 该屏蔽带具有至少一设有实质上均匀横截面之切 槽,且其中形成切槽之步骤包含形成该放大部份, 该计算模型制作建议将在此放大部份发生一高应 力集中。 55.如申请专利范围第54项之方法,其中形成切槽之 步骤包含形成一列阵之大致上横向延伸切槽,至少 某些该等切槽具有一放大之端点部份,使得该等放 大之端点部份系在该等切槽之交替端部。 56.一种具有大致上纵向延伸区域的屏蔽带之制造 方法,该方法包含沿着该大致上纵向延伸区域形成 一列阵之大致上横向延伸切槽,使得至少某些该等 切槽具有一末端,该末端之横截面比该切槽之横截 面较大,并使得具有较大横截面之末端系在该等切 槽之交替端部。 57.如申请专利范围第56项之方法,其中形成切槽之 步骤包含形成该等末端之至少一个,该等末端在高 应力集中之大约至少一预定区域具有较大之横截 面。 58.如申请专利范围第57项之方法,另包含藉着一屏 蔽带之计算模型制作决定高应力集中之至少一预 定区域,该屏蔽带具有至少一设有实质上均匀横截 面之切槽,且其中形成切槽之步骤包含形成该等具 有较大横截面的放大部份之至少一个,该计算模型 制作建议将在此放大部份发生一高应力集中。 图式简单说明: 第1图系根据本发明一示范实施例之屏蔽带的俯视 立体图; 第2图系第1图中所示屏蔽带之一底部立体图; 第3图系第1图中所示屏蔽带之一端部侧视图; 第4图系第1图中所示屏蔽带之一底部平面图; 第5图系第1图中所示屏蔽带之一俯视平面图; 第6图系第1图中所示屏蔽带之一右边侧视图;及 第7图系第1图中所示屏蔽带之一左边侧视图; 第8图系第1图中所示屏蔽带定位在一安装表面上 之一俯视立体图; 第9图系第8图所示屏蔽带之一侧视图,其使该屏蔽 带定位于二零组件之间; 第10图系于形成之前的屏蔽带原坯之平面图; 第11图系根据本发明之另一示范实施例的屏蔽带 之一俯视立体图; 第12图系第11图中所示屏蔽带之一底部立体图; 第13图系第11图中所示屏蔽带之一端部侧视图; 第14图系根据本发明之另一示范实施例的屏蔽带 之俯视立体图; 第15图系第14图中所示屏蔽带之一底部立体图; 第16图系根据本发明之另一示范实施例的屏蔽带 之俯视立体图; 第17图系第16图中所示屏蔽带之一底部立体图; 第18图系根据本发明之另一示范实施例的屏蔽带 之俯视立体图; 第19图系第18图中所示屏蔽带之一底部立体图; 第20图系第18图中所示屏蔽带之一端部侧视图; 第21图系一计算模型,其说明由一支承顶抗根据本 发明之一示范实施例的屏蔽带之接触表面所造成 的应力集中; 第22图系每只手指之力量相对用于第1图中所示屏 蔽带之插入距离的一示范曲线图; 第23图系一示范曲线图,其显示该屏蔽带上之负载 相对一安装表面及一支承顶抗第1图中所示之屏蔽 带的接触表面间之距离; 第24图系根据本发明之另一示范实施例的屏蔽带 之俯视立体图; 第25图系根据本发明之另一示范实施例的屏蔽带 之俯视立体图;及 第26图系第25图中所示屏蔽带之另一俯视立体图。 |
