| 主权项 |
1.一种制造备有一铜金属化于基板上之电子装置 的方法,其中该铜金属化包括一种子层及一铜金属 化层,该方法包括下列步骤: -在含氮大气下沉积铜以便形成一含氮铜种子层; -将该种子层加热以便释放氮来形成障碍层之一部 分,而将该种子层自基板分隔,随后 -在该种子层上施加铜金属化层。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中所释放氮而形 成之部分的障碍层系在该铜种子层沉积之前沉积 。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该种子层 加热至150℃以上。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该种子层加热 至一低于500℃的温度。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该含氮大气系 包含N2作为氮源之大气。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜种子层包 含至少二子层,仅一子层系在含氮大气中形成。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮化物障碍 层包含氮化钛或氮化钽。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该障碍层系由 可形成一氮化物之任何适当的金属或可由含氮铜 层释放氮后加以丰富化的一氮化物材料所形成。 9.一种备有一基板之电子装置,其中基板上存在有 包含一金属氮化物及一铜金属化之障碍层堆叠,该 障碍层及该铜金属化有一共同介面,其特征为该障 碍层在介面区域为氮丰富化,系由于氮扩散通过该 介面。 10.如申请专利范围第9项之电子装置,其特征为其 可自具有与该介面相邻之铜种子层的铜金属化所 获得,该铜种子层在扩散前包含15%至25%原子之氮。 图式简单说明: 图1A显示在加热步骤前在矽上形持之含氮薄膜之 RBS光谱曲线; 图1B显示加热后图1A之铜薄膜之RBS光谱曲线; 图2显示代表铜层及在矽上含氮铜层之表面电阻曲 线; 图3显示纯铜及含氮铜在10 nm之钛上之表面电阻曲 线;及 图4显示本发明电子装置之一例。 |
