| 主权项 |
1.一种半导体机台之改良机构,其中包括: 一蚀刻制程室,具有复数个晶圆载盘与一溅射清洁 装置(sputter clean device); 复数个沉积制程室;以及 一移转室,系设置于该蚀刻制程室与该等沉积制程 室之间,并用于在该蚀刻制程室与该等沉积制程室 之间移转该复数个晶圆。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该溅射清洁装置系具有提供氩气溅击粒子 之溅射清洁装置。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该等晶圆在蚀刻制程后产生一接触洞( contact hole),该溅射清洁装置系用于清洁该接触洞 。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该等晶圆在蚀刻制程后产生一介层洞(via hole),该溅射清洁装置系用于清洁该介层洞。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该溅射清洁装置系在该等晶圆接受金凸块 或铅锡凸块封装前,用于清洁晶圆表面,使凸块附 着更强。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该等沉积制程室为物理气相沉积室或化学 气相沉积室。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该溅射清洁装置系对于该蚀刻制程室中该 等晶圆同时进行溅射清洁。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该些晶圆载盘之数目系至少两个或两个以 上,以该蚀刻制程室之大小为限。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体机台改良机 构,其中该移转室系根据一移转路线,以移转该蚀 刻制程室与该等沉积制程室内之复数个晶圆。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体机台改良机 构,其中该移转室系设于该移转路线之中心位置, 而该蚀刻制程室与该等沉积制程室则设于该移转 路线之外围位置。 图式简单说明: 第1图系根据本发明之一实施例,一种半导体机台 之改良机构示意图。 |
