发明名称 薄膜覆晶封装之多层电路卷带结构
摘要 一种薄膜覆晶封装之多层电路卷带结构,主要包含有一第一介电层、复数个形成于一第一介电层上之第一层引脚、一覆盖该些第一层引脚之第二介电层、复数个形成于该第二介电层上之第二层引脚、以及一覆盖该些第二层引脚防焊层之防焊层。其中,该些第一层引脚与该些第二层引脚各具有复数个对应之第一凸块接合端与第二凸块接合端,其系形成于一覆晶接合区内且显露于该防焊层之外,以提升薄膜覆晶封装产品之解析度或性能。较佳地,第一凸块接合端与第二凸块接合端系为条状且均具有突出于防焊层之高度,以降低防焊层之成本。
申请公布号 TWI295097 申请公布日期 2008.03.21
申请号 TW095111120 申请日期 2006.03.30
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD. 百慕达 发明人 刘孟学;王豪勋
分类号 H01L23/498(2006.01) 主分类号 H01L23/498(2006.01)
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项 1.一种薄膜覆晶封装之多层电路卷带结构,其上表 面系定义有一覆晶接合区,该多层电路卷带结构系 包含: 一第一介电层; 复数个第一层引脚,其系形成于该第一介电层上; 一第二介电层,其系形成于该第一介电层上并覆盖 该些第一层引脚; 复数个第二层引脚,其系形成于该第二介电层上且 与该些第一层引脚为电性隔离;及 一防焊层,其系形成于该第二介电层上并覆盖该些 第二层引脚; 其中,该些第一层引脚与该些第二层引脚各具有复 数个对应之第一凸块接合端与第二凸块接合端,其 系形成于该覆晶接合区内且显露于该防焊层之外 。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶封装之多 层电路卷带结构,其中该些第一凸块接合端与该些 第二凸块接合端系为条状且均具有突出于该防焊 层之高度。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜覆晶封装之多 层电路卷带结构,其中该些第一层引脚与该些第二 层引脚各具有复数个第一外接合端与第二外接合 端,其系显露于该防焊层之外。 4.一种薄膜覆晶封装构造,包含: 一多层电路卷带结构,其上表面系定义有一覆晶接 合区; 一晶片,其系具有复数个凸块并接合至该覆晶接合 区;以及 一封胶体,其系形成于该多层电路卷带结构与该晶 片之间; 其中,该多层电路卷带结构系包含: 一第一介电层; 复数个第一层引脚,其系形成于该第一介电层上; 一第二介电层,其系形成于该第一介电层上并覆盖 该些第一层引脚; 复数个第二层引脚,其系形成于该第二介电层上且 与该些第一层引脚为电性隔离;及 一防焊层,其系形成于该第二介电层上并覆盖该些 第二层引脚; 其中,该些第一层引脚与该些第二层引脚各具有复 数个对应之第一凸块接合端与第二凸块接合端,其 系形成于该覆晶接合区内且显露于该防焊层之外 。 5.如申请专利范围第4项所述之薄膜覆晶封装构造, 其中该些第一凸块接合端与该些第二凸块接合端 系为条状且均具有突出于该防焊层之高度。 6.如申请专利范围第4项所述之薄膜覆晶封装构造, 其中该些第一层引脚与该些第二层引脚各具有复 数个第一外接合端与第二外接合端,其系显露于该 防焊层之外。 图式简单说明: 第1图:习知薄膜覆晶封装构造之截面示意图。 第2图:习知薄膜覆晶封装构造之电路卷带结构之 截面示意图。 第3图:习知薄膜覆晶封装构造之电路卷带结构与 晶片结合之透视示意图。 第4图:依据本发明之一较佳实施例,一种薄膜覆晶 封装构造之多层电路卷带结构之截面示意图。 第5图:依据本发明之一较佳实施例,该多层电路卷 带结构与一晶片结合之透视示意图。 第6图:依据本发明之一较佳实施例,一种薄膜覆晶 封装构造使用该多层电路卷带结构之截面示意图 。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路1号