| 主权项 |
1.一种可使用硷性溶液显像之负性化学放大抗蚀 组成物,其中系基于一由于一酸催化反应所引起之 极性的改变而形成一种抗蚀图样,其包含: (1)一种成膜聚合物,其本身可溶于硷性水溶液,且 含有带硷溶性基之第一单体单位以及带有可与该 硷溶性基反应之第三醇结构之第二单体单位,以及 (2)一种光酸产生剂,其当藉吸收成像辐射分解时可 产生酸,该酸可诱生第二单体单位之醇结构与第一 单体单位之硷溶性基间之反应,或保护第一单体单 位之硷溶性基, 以及其本身可溶于硷性水溶液,但当曝光于成像辐 射时,由于光酸产生剂作用结果,变成于曝光区段 不溶于硷性水溶液。 2.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,其中该第二单体单位之醇结构为下式(I)至(IV) 之任一者表示之第三醇结构: 此处R系联结至单体单位之主链且表示可与第一单 体共聚合之键结基,以及 R1及R2可相同或相异且各自表示直链、分支或环状 烃基; 此处R定义如前; Rx表示1-8个碳之烃基,以及 p为2-9之整数; 此处R定义如前, Y表示氢原子或选择性取代基选自烷基,烷氧羰基, 酮基,羟基及氰基组成的组群,以及 Z表示完成一个环脂族烃基需要的原子;或 此处R及Y定义如前,以及 BA表示完成一个双环烷环需要的原子。 3.如申请专利范围第2项之负性化学放大抗蚀组成 物,其中由第二单体单位促成的比例基于共聚物总 量系于0.1至70莫耳%之范围。 4.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,其中第一及第二单体单位可相同或相异,且各 自表示选自基于(甲基)丙烯酸单体单位,基于衣康 酸单体单位,基于乙烯基酚单体单位,基于乙烯基 苯甲酸单体单位,基于苯乙烯单体单位,基于双环[2 .2.1]庚-5-烯-2-羧酸单体单位,基于N取代马来醯亚胺 单体单位,以及具有一个酯基含有多个或多环系环 脂族烃部分之单体单位组成的组群中之一员。 5.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,当用以藉施用于石英基材上形成厚度1微米之 薄膜时,具有吸光比于使用的曝光光源波长不大于 1.75微米-1。 6.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,其中第一及/或第二单体单位进一步具有一个 选自内酯环,醯亚胺环及酸酐组成的组群之弱硷溶 性基键结至其支链。 7.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,其进一步含有一种分子内带有一个醇结构之化 合物。 8.如申请专利范围第7项之负性化学放大抗蚀组成 物,其中化合物之醇结构为第三醇结构。 9.如申请专利范围第7项之负性化学放大抗蚀组成 物,其中含醇结构化合物具有沸点至少130℃。 10.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,其包含一种溶剂选自乳酸乙酯,甲基戊基甲酮,3 -甲氧丙酸甲酯,3-乙氧丙酸乙酯,丙二醇甲基醚乙 酸酯及其混合物组成的组群。 11.如申请专利范围第10项之负性化学放大抗蚀组 成物,其进一步包含一种选自乙酸丁酯,-丁内酯, 丙二醇甲醚及其混合物组成的组群之溶剂作为助 溶剂。 12.如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成 物,其用以形成具有线宽0.15微米或更小之布线图 样。 13.一种形成负性抗蚀图样之方法,包含下列步骤: 涂布如申请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组 成物至一目标基材上, 选择性曝光形成的抗蚀薄膜于成像辐射,其可诱使 该抗蚀组成物之光酸产生剂分解,以及 以硷性水溶液显像曝光抗蚀薄膜。 14.一种制造电子装置之方法,包含使用一种由如申 请专利范围第1项之负性化学放大抗蚀组成物形成 的抗蚀图样作为阻罩装置俾选择性去除下方目标 基材,藉此形成一层预定功能元件层。 15.如申请专利范围第14项之制造电子装置之方法, 其包含下列步骤: 涂布该负性化学放大抗蚀组成物于目标基材上, 选择性曝光形成的抗蚀薄膜于成像辐射,其可诱使 抗蚀组成物之光酸产生剂分解, 以硷水溶液显像曝光后之抗蚀薄膜而形成一种抗 蚀图样,以及 于抗蚀图样作为阻罩装置存在下蚀刻目标基材而 形成功能元件层。 16.一种负性化学放大抗蚀组成物,其中系基于一由 于一酸催化反应所引起之极性的改变而形成一种 抗蚀图样,其特征为包含下列反应成分的组合: (1)一种基本树脂系由硷溶性聚合物组成, (2)一种光酸产生剂其当吸收成像辐射时可分解而 产生酸,以及 (3)一种环脂族醇具有一个反应性位置,其可与基本 树脂之聚合物于由光酸产生剂产生之酸存在下进 行脱水键结反应。 17.如申请专利范围第16项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该环脂族醇含有一或多个醇系羟基。 18.如申请专利范围第16或17项之负性化学放大抗蚀 组成物,其中1-6个碳原子系位于该环脂族醇之环脂 族主链与羟基间。 19.如申请专利范围第16项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该环脂族醇为含4或多个碳原子之单环 化合物,含6或多个碳原子之多环化合物或其混合 物。 20.如申请专利范围第16项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该环脂族醇为分子具有金刚烷结构之醇 。 21.如申请专利范围第16项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中环脂族醇为具有立体化学固定结构之第 三级醇。 22.一种形成负性抗蚀图样之方法,包含下列步骤: 涂布一种负性化学放大抗蚀组成物至一目标基材 上,该负性化学放大抗蚀组成物包含下列反应成分 的组合: (1)一种基本树脂系由硷溶性聚合物组成, (2)一种光酸产生剂其当吸收成像辐射时可分解而 产生酸,以及 (3)一种环脂族醇具有一个反应性位置,其可与基本 树脂之聚合物于由光酸产生剂产生之酸存在下进 行脱水键结反应, 选择性曝光形成的抗蚀剂薄膜于成像辐射,其可诱 使抗蚀组成物之光酸产生剂分解,以及 于曝光后烘烤后使用硷性水溶液显像抗蚀薄膜。 23.一种制造电子装置之方法,包含使用一种由如申 请专利范围第16项之负性化学放大抗蚀组成物形 成的抗蚀图样作为阻罩装置俾选择性去除下方目 标基材,藉此形成一层预定功能元件层。 24.如申请专利范围第23项之制造电子装置之方法, 其包含下列步骤: 涂布该负性化学放大抗蚀组成物于目标基材上, 选择性曝光形成的抗蚀薄膜于成像辐射,其可诱生 抗蚀组成物之光酸产生剂分解, 以硷水溶液显像曝光后之抗蚀薄膜而形成一种抗 蚀图样,以及 于抗蚀图样作为阻罩装置存在下蚀刻目标基材而 形成功能元件层。 25.一种负性化学放大抗蚀组成物,其中系基于一由 于一酸催化反应所引起之极性的改变而形成一种 抗蚀图样,且其包含一种具有硷溶性基之第一聚合 物,一种于支链具有一个可与该硷溶性基反应之醇 结构之第二聚合物,以及一种光酸产生剂可产生一 种酸,其经由吸收形成影像之辐射分解,且激发该 第一聚合物之硷溶性基与该第二聚合物之醇间之 反应,其中该组成物本身可溶于硷性水溶液,且当 暴露于形成影像之辐射时,曝光区于光酸产生剂的 作用之下变成不溶于硷性水溶液。 26.如申请专利范围第25项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中由光酸产生剂激发的反应为保护硷溶性 基之保护类型反应及/或促进硷溶性基不溶于硷性 水溶液之不溶性促进类型反应。 27.如申请专利范围第25或26项之负性化学放大抗蚀 组成物,其中该醇结构为第三醇结构。 28.如申请专利范围第27项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该第三醇结构系以下式(1)至(4)之任一式 表示: 其中R表示连结至第二聚合物主链之原子基以及R1 及R2各自分别为含直链或分支结构或环状结构之 含1至8个碳原子之任意烷基; 其中R定义如前,n为2至9之数目及Rx为含直链或分支 结构或环状结构之含1至8个碳原子之基; 其中R定义如前,Y表示氢原子或含1至6个碳原子之 任意烷基,烷氧羰基,酮基,羟基或氰基; 其中R及Y各自具有前述相同定义。 29.如申请专利范围第25项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该第一聚合物及该第二聚合物各自包含 至少一个选自丙烯酸类、甲基丙烯酸类、衣康酸 类、乙烯基苯甲酸类、乙烯基酚类、双环[2.2.1]庚 -5-烯-2-羧酸类及N取代马来醯亚胺类化合物及其衍 生物组成的组群之单体单位。 30.如申请专利范围第25项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中进一步添加含有一个醇结构之化合物。 31.如申请专利范围第30项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该具有醇结构之化合物含有至少一个羟 基、酮基或烷氧羰基。 32.如申请专利范围第25项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该第一聚合物进一步含有一个选自内酯 环、醯亚胺环及酸酐组成的组群之硷溶性基。 33.一种形成抗蚀图样之方法,包含一系列步骤:涂 布如申请专利范围第25项之负性化学放大抗蚀组 成物于一目标基材上而形成抗蚀薄膜,藉形成影像 之辐射选择性曝光抗蚀薄膜而加速光酸产生剂的 分解,以及使用硷性水溶液显像曝光后的抗蚀薄膜 。 34.一种制造电子装置之方法,包含使用一种由如申 请专利范围第25项之负性化学放大抗蚀组成物形 成的抗蚀图样作为阻罩装置俾选择性去除下方目 标基材,藉此形成一层预定功能元件层。 35.如申请专利范围第34项之制造电子装置之方法, 其包含下列步骤: 涂布该负性化学放大抗蚀组成物于目标基材上, 选择性曝光形成的抗蚀薄膜于成像辐射,其可诱使 抗蚀组成物之光酸产生剂分解, 以硷水溶液显像曝光后之抗蚀薄膜而形成一种抗 蚀图样,以及 于抗蚀图样作为阻罩装置存在下蚀刻目标基材而 形成功能元件层。 36.一种负性化学放大抗蚀组成物,其中系基于一由 于一酸催化反应所引起之极性的改变而形成一种 抗蚀图样,且包含一种基本树脂其包含一种硷溶性 聚合物,一种光酸产生剂其可于吸收成像辐射时分 解而产生酸,以及一种环脂族醇具有一个反应性位 置其可于光酸产生剂产生之酸存在下与基本树脂 之硷溶性基进行脱水键结反应,其中藉曝光变成不 可溶之基本树脂区段之分子量分布为1至2(含)。 37.如申请专利范围第36项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中基本树脂之重量平均分子量为至少2000 。 38.一种负性化学放大抗蚀组成物,其中系基于一由 于一酸催化反应所引起之极性的改变而形成一种 抗蚀图样,且包含一种基本树脂其包含一种硷溶性 聚合物,一种光酸产生剂其可于吸收成像辐射时分 解而产生酸,以及一种环脂族醇具有一个反应性位 置其可于光酸产生剂产生之酸存在下与基本树脂 之硷溶性基进行脱水键结反应, 其中基本树脂中不大于10%重量比系由分子量低于 2000之成分组成。 39.如申请专利范围第36或38项之负性化学放大抗蚀 组成物,其中该基本树脂含有一种基于酚之化合物 。 40.如申请专利范围第36或38项之负性化学放大抗蚀 组成物,其中该环脂族醇具有金刚烷结构。 41.如申请专利范围第36或38项之负性化学放大抗蚀 组成物,其中该环脂族醇具有带有立体化学固定结 构之第三醇结构。 42.如申请专利范围第41项之负性化学放大抗蚀组 成物,其中该第三醇为1-金刚烷醇或其衍生物。 43.如申请专利范围第36或38项之负性化学放大抗蚀 组成物,其中该光酸产生剂为选自氧盐类,卤化 有机物质及磺酸酯类组成的组群中之任一者。 44.一种形成负性抗蚀图样之方法,包含一系列步骤 包括涂布如申请专利范围第36项之负性化学放大 抗蚀组成物于一目标基材上,选择性曝光形成的抗 蚀薄膜于成像辐射,其可诱生抗蚀组成物之光酸产 生剂分解,以及使用硷性水溶液显像曝光后之抗蚀 薄膜。 45.一种制造电子装置之方法,包含使用一种由如申 请专利范围第36项之负性化学放大抗蚀组成物形 成的抗蚀图样作为阻罩装置俾选择性去除下方目 标基材,藉此形成一层预定功能元件层。 46.如申请专利范围第45项之制造电子装置之方法, 其包含下列步骤: 涂布该负性化学放大抗蚀组成物于目标基材上, 选择性曝光形成的抗蚀薄膜于成像辐射,其可诱使 抗蚀组成物之光酸产生剂分解, 以硷水溶液显像曝光后之抗蚀薄膜而形成一种抗 蚀图样,以及 于抗蚀图样作为阻罩装置存在下蚀刻目标基材而 形成功能元件层。 图式简单说明: 第1A至1F图循序说明根据本发明之MOS电晶体之制法 ,以及 第2A至21图循序说明根据本发明之薄膜磁性记录头 之制法。 |
