| 主权项 |
1.一种可热固化之聚合物组成物,包含含羟基之聚 合物、胺基交联剂及热酸产生剂,其中该含羟基之 聚合物包含选自环己醇、羟基苯乙烯、羟基烷基 之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯、羟基环烷基之丙烯 酸酯或甲基丙烯酸酯、羟基烷基环烷基之丙烯酸 酯或甲基丙烯酸酯、芳烷基醇及烯丙基醇之单体 单元。 2.如申请专利范围第1项之组成物,其中该含羟基之 聚合物包含环己醇、羟基苯乙烯、羟基烷基之丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯、联苯之丙烯酸酯或甲基 丙烯酸酯及羟基环烷基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸 酯之单体单元且具有14,000至30,000间之数平均分子 量。 3.如申请专利范围第1项之组成物,其中该热酸产生 剂具有如下通式: 其中R7系取代或未被取代之烷基、环烷基或芳基, 其中取代基系卤素、烷氧基、芳基、硝基或胺基; 且R8至R12系个别选自氢、线性或分枝之C1至C4之烷 基、烷氧基、胺基、烷胺基、芳基、烯基、卤素 、醯氧基、环烷基或环状(annulated)之环烷基、芳 族或杂环。 4.如申请专利范围第1项之组成物,其中该胺基交联 剂具有如下通式: 其中,Y系NR5R6或被取代或未被取代之芳基或烷基; 且R1至R6系个别氢或化学式-CH2OH-或-CH2OR17之基,其 中R17系1至8个碳之烷基。 5.如申请专利范围第1项之组成物,其中该含羟基之 聚合物包含烯丙基醇之单体单元且具有2000至20000 之聚合物重量平均分子量。 6.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含丙 烯酸或甲基丙烯酸之环脂族酯之单体单元。 7.如申请专利范围第6项之组成物,其中该丙烯酸或 甲基丙烯酸之环脂族酯之单体单元系选自环己基 丙烯酸酯、环己基甲基丙烯酸酯、4-第三丁基环 己基丙烯酸酯、4-第三丁基环己基甲基丙烯酸酯 、异冰片基丙烯酸酯、异冰片基甲基丙烯酸酯、 金刚烷基之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯、二环戊烯 基之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯、2-(二环戊烯基氧) 乙基之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。 8.如申请专利范围第1项之组成物,其中该羟基烷基 之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯系选自羟基甲基之丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯、2-羟基乙基之丙烯酸酯 或甲基丙烯酸酯、3-羟基丙基之丙烯酸酯或甲基 丙烯酸酯、4-羟基丁基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸 酯、5-羟基戊基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯及6-羟 基己基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。 9.如申请专利范围第1项之组成物,其中该含羟基之 聚合物包含下述单体单元: 其中R15及R16系个别为氢或甲基。 10.如申请专利范围第9项之组成物,其中该单体单 元(A)之莫耳%系25至60莫耳%,且该单体单元(B)之莫耳 %系40至75莫耳%。 11.如申请专利范围第1项之组成物,其中该含羟基 之聚合物包含下述单体单元: 12.如申请专利范围第11项之组成物,其中该单体单 元(C)之莫耳%系39-60莫耳%,且该单体单元(D)之莫耳% 系40至61莫耳%。 13.如申请专利范围第3项之组成物,其中该热酸产 生剂系选自环己基对-甲苯磺酸酯、基对-甲苯 磺酸酯、冰片基对-甲苯磺酸酯、环己基三异丙基 苯磺酸酯、环己基4-甲氧基苯磺酸酯。 14.一种光微影术敏感涂覆基材,包含: (a)基材; (b)于该基材上之热固化底涂覆物;及 (c)于该热固化底涂覆物上之辐射敏感之光阻物上 涂覆物; 其中该热固化底涂覆物包含热固化组成物,其包含 含羟基之聚合物、胺基交联剂及热酸产生剂。 15.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该含羟 基之聚合物包含选自环己醇、羟基苯乙烯、羟基 烷基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯、羟基环烷基之 丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯、芳烷基醇及烯丙基醇 之单体单元。 16.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该热酸 产生剂具有如下通式: 其中R7系取代或未被取代之烷基、环烷基或芳基, 其中取代基系卤素、烷氧基、芳基、硝基或胺基; 且R8至R12系个别选自氢、线性或分枝之C1至C4之烷 基、烷氧基、胺基、烷胺基、芳基、烯基、卤素 、醯氧基或环状之环烷基、芳族或杂环。 17.如申请专利范围第15项之涂覆基材,其中该含羟 基之聚合物包含选自羟基烷基之丙烯酸酯或甲基 丙烯酸酯及烯丙基醇单元之单体单元。 18.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该含羟 基之聚合物进一步包含丙烯酸或甲基丙烯酸之环 脂族酯单体单元。 19.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该含羟 基之聚合物包含下述单体单元: 其中R15及R16系个别为氢或甲基。 20.如申请专利范围第19项之涂覆基材,其中该单体 单元(A)之莫耳%系25至60莫耳%,且该单体单元(B)之莫 耳%系40至75莫耳%。 21.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该含羟 基之聚合物包含下述单体单元: 22.如申请专利范围第21项之涂覆基材,其中该单体 单元(C)之莫耳%系39-60莫耳%,且该单体单元(D)之莫 耳%系40至61莫耳%。 23.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该含羟 基之聚合物包含联苯之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯 及羟基乙基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。 24.如申请专利范围第23项之涂覆基材,其中该联苯 之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之量系50至90莫耳%且 羟基乙基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之量系10至50 莫耳%。 25.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该辐射 敏感光阻物上涂覆物系一含有矽于聚合物之一单 体单元中之化学放大型光阻物。 26.如申请专利范围第23项之涂覆基材,其中该辐射 敏感上涂覆物包含含有如下单体单元之聚合物: 其中R13系甲基或羟基乙基,R14系氢、甲基或CH3CO2CH3 ,且R15及R16系氢或甲基,且每一选择系个别为之。 27.如申请专利范围第14项之涂覆基材,其中该胺基 交联剂具有如下通式: 其中,Y系NR5R6或被取代或未被取代之芳基或烷基; 且R1至R6系个别氢或化学式-CH2OH-或-CH2OR17之基,其 中R17系1至8个碳之烷基。 28.一种生产防护结构之方法,其包含下述步骤: (a)形成涂覆基材,其中该涂覆基材包含基材;置于 该基材上之热固化底涂覆物;及置于该热固化底涂 覆物上之辐射敏感之光阻物上涂覆物;且其中该热 固化底涂覆物包含一种可热固化之聚合物组成物, 其包含含羟基之聚合物、胺基交联剂及热酸产生 剂; (b)以显像方式使该辐射敏感之光阻物上涂覆物接 受化学线辐射照射;及 (c)藉由以显影剂使辐射敏感之光阻物上涂覆物显 影而形成光阻物图像。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中该含羟基之 聚合物包含30至60莫耳%之羟基苯乙烯单体单元及40 至70莫耳%之异冰片基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯 单体单元。 30.如申请专利范围第28项之方法,其中该含羟基之 聚合物包含39至60莫耳%之苯乙烯单体单元及40至61 莫耳%之烯丙基醇单体单元。 31.如申请专利范围第28项之方法,其中该联苯之丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯之量系50至90莫耳%,且羟基 乙基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之量系10至50莫耳% 。 32.如申请专利范围第28项之方法,其中该辐射敏感 光阻物上涂覆物包含具有如下单体单元之聚合物: 其中R3系甲基或羟基乙基,R4系氢、甲基或CH3CO2CH3, 且R5及R6系氢或甲基,且每一选择系个别为之。 33.如申请专利范围第28项之方法,其进一步包含移 除该热固化底涂覆组成物以形成其图像之步骤。 |
