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Cette photodiode destinée à capter des photons incidents, comprend un empilement d'au moins trois couches superposées réalisées en matériau semi-conducteur présentant un premier type de conductivité, ledit empilement comportant :- une couche d'interaction (1) destinée à interagir avec les photons incidents de façon à générer des photoporteurs ;- une couche de collecte (2) desdits photoporteurs ;- une couche de confinement (3) destinée à confmer lesdits photoporteurs au niveau de ladite couche de collecte (2).La couche de collecte (2) présente une largeur de bande interdite inférieure aux largeurs de bande interdite desdites couches d'interaction (1) et de confinement (3).La photodiode comprend en outre une région (4) s'étendant transversalement par rapport aux plans desdites couches, ladite région étant en contact avec la couche de collecte (2) et la couche de confinement (3) et présentant un type de conductivité opposé audit premier type de conductivité de façon à former une jonction P-N avec ledit empilement.
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